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Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors. Überprüfen Sie FAQs
Ie=(Isatα)eVBEVt
Ie - Emitterstrom?Isat - Sättigungsstrom?α - Basisstromverstärkung?VBE - Basis-Emitter-Spannung?Vt - Thermische Spannung?

Emitterstrom mit Transistorkonstante Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Emitterstrom mit Transistorkonstante aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Emitterstrom mit Transistorkonstante aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Emitterstrom mit Transistorkonstante aus:.

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Emitterstrom mit Transistorkonstante Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Emitterstrom mit Transistorkonstante?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ie=(Isatα)eVBEVt
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ie=(1.675mA0.985)e5.15V4.7V
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ie=(0.0017A0.985)e5.15V4.7V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ie=(0.00170.985)e5.154.7
Nächster Schritt Auswerten
Ie=0.00508691463117838A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Ie=5.08691463117838mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ie=5.0869mA

Emitterstrom mit Transistorkonstante Formel Elemente

Variablen
Emitterstrom
Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Symbol: Ie
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Sättigungsstrom
Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Symbol: Isat
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basisstromverstärkung
Die Stromverstärkung α in Basisschaltung steht in Beziehung zur Stromverstärkung β in Emitterschaltung und ihr Wert ist kleiner als 1, da der Kollektorstrom aufgrund der Rekombination von Elektronen immer kleiner als der Emitterstrom ist.
Symbol: α
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte kleiner als 1 sein.
Basis-Emitter-Spannung
Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Symbol: VBE
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Thermische Spannung
Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
Symbol: Vt
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Andere Formeln zum Finden von Emitterstrom

​ge Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung
Ie=(β+1β)IsateVBEVt
​ge Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung
Ie=(β+1β)Ic
​ge Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration
Ie=AE[Charge-e]Dn(-npoWbase)
​ge Emitterstrom bei gegebenem Basisstrom
Ie=(Id+1)IB

Andere Formeln in der Kategorie Emitterstrom

​ge Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung
IE=Isat(exp([Charge-e]VBE[BoltZ]to-1))

Wie wird Emitterstrom mit Transistorkonstante ausgewertet?

Der Emitterstrom mit Transistorkonstante-Evaluator verwendet Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung), um Emitterstrom, Der Emitterstrom unter Verwendung der Transistorkonstante ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolar Junction Transistors auszuwerten. Emitterstrom wird durch das Symbol Ie gekennzeichnet.

Wie wird Emitterstrom mit Transistorkonstante mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Emitterstrom mit Transistorkonstante zu verwenden, geben Sie Sättigungsstrom (Isat), Basisstromverstärkung (α), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Thermische Spannung (Vt) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Emitterstrom mit Transistorkonstante

Wie lautet die Formel zum Finden von Emitterstrom mit Transistorkonstante?
Die Formel von Emitterstrom mit Transistorkonstante wird als Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5086.915 = (0.001675/0.985)*e^(5.15/4.7).
Wie berechnet man Emitterstrom mit Transistorkonstante?
Mit Sättigungsstrom (Isat), Basisstromverstärkung (α), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Thermische Spannung (Vt) können wir Emitterstrom mit Transistorkonstante mithilfe der Formel - Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Emitterstrom?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Emitterstrom-
  • Emitter Current=((Common Emitter Current Gain+1)/Common Emitter Current Gain)*Saturation Current*e^(Base-Emitter Voltage/Thermal Voltage)OpenImg
  • Emitter Current=((Common Emitter Current Gain+1)/Common Emitter Current Gain)*Collector CurrentOpenImg
  • Emitter Current=Cross-section Area of Base-Emitter Junction*[Charge-e]*Electron Diffusivity*(-Thermal Equilibrium Concentration/Width of Base Junction)OpenImg
Kann Emitterstrom mit Transistorkonstante negativ sein?
Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Emitterstrom mit Transistorkonstante kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Emitterstrom mit Transistorkonstante verwendet?
Emitterstrom mit Transistorkonstante wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Emitterstrom mit Transistorkonstante gemessen werden kann.
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