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Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors. Überprüfen Sie FAQs
Ie=(Isatα)e-VBEVt
Ie - Emitterstrom?Isat - Sättigungsstrom?α - Basisstromverstärkung?VBE - Basis-Emitter-Spannung?Vt - Thermische Spannung?

Emitterstrom bei Sättigungsstrom Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Emitterstrom bei Sättigungsstrom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Emitterstrom bei Sättigungsstrom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Emitterstrom bei Sättigungsstrom aus:.

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Emitterstrom bei Sättigungsstrom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Emitterstrom bei Sättigungsstrom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ie=(Isatα)e-VBEVt
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ie=(1.675mA0.985)e-5.15V4.7V
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ie=(0.0017A0.985)e-5.15V4.7V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ie=(0.00170.985)e-5.154.7
Nächster Schritt Auswerten
Ie=0.000568463667204731A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Ie=0.568463667204731mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ie=0.5685mA

Emitterstrom bei Sättigungsstrom Formel Elemente

Variablen
Emitterstrom
Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Symbol: Ie
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Sättigungsstrom
Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Symbol: Isat
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basisstromverstärkung
Die Stromverstärkung α in Basisschaltung steht in Beziehung zur Stromverstärkung β in Emitterschaltung und ihr Wert ist kleiner als 1, da der Kollektorstrom aufgrund der Rekombination von Elektronen immer kleiner als der Emitterstrom ist.
Symbol: α
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte kleiner als 1 sein.
Basis-Emitter-Spannung
Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Symbol: VBE
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Thermische Spannung
Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
Symbol: Vt
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Andere Formeln zum Finden von Emitterstrom

​ge Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung
Ie=(β+1β)IsateVBEVt
​ge Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung
Ie=(β+1β)Ic
​ge Emitterstrom mit Transistorkonstante
Ie=(Isatα)eVBEVt
​ge Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration
Ie=AE[Charge-e]Dn(-npoWbase)

Andere Formeln in der Kategorie Emitterstrom

​ge Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung
IE=Isat(exp([Charge-e]VBE[BoltZ]to-1))

Wie wird Emitterstrom bei Sättigungsstrom ausgewertet?

Der Emitterstrom bei Sättigungsstrom-Evaluator verwendet Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung), um Emitterstrom, Der als Emitterstrom gegebene Sättigungsstrom ist die Kombination aus Kollektor- UND Basisstrom kombiniert, der. Lastwiderstand in dieser Art von Transistorkonfiguration hat auch sowohl den Kollektorstrom als auch den Eingangsstrom des. Base durchfließt auszuwerten. Emitterstrom wird durch das Symbol Ie gekennzeichnet.

Wie wird Emitterstrom bei Sättigungsstrom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Emitterstrom bei Sättigungsstrom zu verwenden, geben Sie Sättigungsstrom (Isat), Basisstromverstärkung (α), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Thermische Spannung (Vt) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Emitterstrom bei Sättigungsstrom

Wie lautet die Formel zum Finden von Emitterstrom bei Sättigungsstrom?
Die Formel von Emitterstrom bei Sättigungsstrom wird als Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 568.4637 = (0.001675/0.985)*e^(-5.15/4.7).
Wie berechnet man Emitterstrom bei Sättigungsstrom?
Mit Sättigungsstrom (Isat), Basisstromverstärkung (α), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Thermische Spannung (Vt) können wir Emitterstrom bei Sättigungsstrom mithilfe der Formel - Emitter Current = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Emitterstrom?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Emitterstrom-
  • Emitter Current=((Common Emitter Current Gain+1)/Common Emitter Current Gain)*Saturation Current*e^(Base-Emitter Voltage/Thermal Voltage)OpenImg
  • Emitter Current=((Common Emitter Current Gain+1)/Common Emitter Current Gain)*Collector CurrentOpenImg
  • Emitter Current=(Saturation Current/Common-Base Current Gain)*e^(Base-Emitter Voltage/Thermal Voltage)OpenImg
Kann Emitterstrom bei Sättigungsstrom negativ sein?
Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Emitterstrom bei Sättigungsstrom kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Emitterstrom bei Sättigungsstrom verwendet?
Emitterstrom bei Sättigungsstrom wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Emitterstrom bei Sättigungsstrom gemessen werden kann.
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