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Der Eingangsvorspannungsstrom ist der Strom, der in ein elektrisches Gerät fließt. Sie wird in Ampere (A) gemessen. Überprüfen Sie FAQs
I base=Vee-VbeRb+(βdc+1)Re
I base - Eingangsvorspannungsstrom?Vee - Negative Versorgungsspannung?Vbe - Basis-Emitter-Spannung?Rb - Basiswiderstand?βdc - Aktueller Gewinn?Re - Emitterwiderstand?

Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet aus:.

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Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
I base=Vee-VbeRb+(βdc+1)Re
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
I base=12.25V-10V56+(1.21+1)2.8
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
I base=12.25V-10V56000Ω+(1.21+1)2800Ω
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
I base=12.25-1056000+(1.21+1)2800
Nächster Schritt Auswerten
I base=3.61806136232071E-05A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
I base=0.036180613623207mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
I base=0.0362mA

Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet Formel Elemente

Variablen
Eingangsvorspannungsstrom
Der Eingangsvorspannungsstrom ist der Strom, der in ein elektrisches Gerät fließt. Sie wird in Ampere (A) gemessen.
Symbol: I base
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Negative Versorgungsspannung
Eine negative Versorgungsspannung ist eine Spannung, die niedriger ist als die Massereferenzspannung in einem Stromkreis.
Symbol: Vee
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basis-Emitter-Spannung
Die Basis-Emitter-Spannung ist der Spannungsabfall an der Basis-Emitter-Verbindung eines Bipolartransistors, wenn dieser in Durchlassrichtung vorgespannt ist.
Symbol: Vbe
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basiswiderstand
Der Basiswiderstand in einer MOSFET-Schaltung wird verwendet, um die Strommenge zu begrenzen, die durch die Basis des MOSFET fließt.
Symbol: Rb
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Aktueller Gewinn
Die Stromverstärkung ist die Gleichstromverstärkung eines bipolaren Sperrschichttransistors, der im aktiven Vorwärtsmodus arbeitet.
Symbol: βdc
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Emitterwiderstand
Der Emitterwiderstand eines Bipolartransistors ist ein Widerstand, der zwischen dem Emitteranschluss des Transistors und der Masse oder der Stromversorgungsschiene angeschlossen ist.
Symbol: Re
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Eingangsvorspannungsstrom

​ge Basisstrom des MOSFET
I base=Vbb-VbeRb

Andere Formeln in der Kategorie Voreingenommenheit

​ge DC-Bias-Strom des MOSFET unter Verwendung der Overdrive-Spannung
Ib=12knVeff2
​ge Eingangsvorspannungsstrom
Ib=Ib1+Ib22
​ge DC-Vorspannungsstrom des MOSFET
Ib=12kn(Vgs-Vth)2
​ge DC-Bias-Ausgangsspannung am Drain
Vout=Vdd-RLIb

Wie wird Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet ausgewertet?

Der Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet-Evaluator verwendet Input Biasing Current = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand), um Eingangsvorspannungsstrom, Die Formel für den Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet ist definiert als der Strom, der in den Gate-Anschluss des MOSFET fließt, um ihn zu betreiben auszuwerten. Eingangsvorspannungsstrom wird durch das Symbol I base gekennzeichnet.

Wie wird Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet zu verwenden, geben Sie Negative Versorgungsspannung (Vee), Basis-Emitter-Spannung (Vbe), Basiswiderstand (Rb), Aktueller Gewinn dc) & Emitterwiderstand (Re) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet

Wie lautet die Formel zum Finden von Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet?
Die Formel von Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet wird als Input Biasing Current = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: -156.782659 = (12.25-10)/(56000+(1.21+1)*2800).
Wie berechnet man Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet?
Mit Negative Versorgungsspannung (Vee), Basis-Emitter-Spannung (Vbe), Basiswiderstand (Rb), Aktueller Gewinn dc) & Emitterwiderstand (Re) können wir Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet mithilfe der Formel - Input Biasing Current = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Eingangsvorspannungsstrom?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Eingangsvorspannungsstrom-
  • Input Biasing Current=(Bias Voltage-Base Emitter Voltage)/Base ResistanceOpenImg
Kann Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet negativ sein?
NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet verwendet?
Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet gemessen werden kann.
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