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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel

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Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten. Überprüfen Sie FAQs

V os = (\frac{V ov}{2}) \cdot (\frac{WL}{WL 1})

V_os - Eingangs-Offsetspannung?V_ov - Effektive Spannung?WL - Seitenverhältnis?WL₁ - Seitenverhältnis 1?

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Beispiel

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Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt aus:.

3.5311 = (\frac{2.5}{2}) \cdot (\frac{5}{1.77})

3.5311V = (\frac{2.5V}{2}) \cdot (\frac{5}{1.77})

3.5311 = (\frac{2.5}{2}) \cdot (\frac{5}{1.77})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V os = (\frac{V ov}{2}) \cdot (\frac{WL}{WL 1})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V os = (\frac{2.5V}{2}) \cdot (\frac{5}{1.77})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V os = (\frac{2.5}{2}) \cdot (\frac{5}{1.77})

Nächster Schritt Auswerten

∴

V os = 3.53107344632768V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V os = 3.5311V

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Formel Elemente

Variablen

Eingangs-Offsetspannung

Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.

Symbol: V_os

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

Effektive Spannung

Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Seitenverhältnis

Das Seitenverhältnis ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.

Symbol: WL

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Seitenverhältnis

Seitenverhältnis 1

Seitenverhältnis 1 ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.

Symbol: WL₁

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Seitenverhältnis 1

Andere Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

V os = \frac{V o}{A d}

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

V os = V t \cdot (\frac{I sc}{I s})

ge Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

V os = \sqrt{{(\frac{ΔR c}{R c})}^{2} + {(\frac{I sc}{I s})}^{2}}

Andere Formeln in der Kategorie Differentialkonfiguration

ge Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V L - (\frac{1}{2} \cdot R L)

ge Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V ov + V gs - V L

ge Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

V in = V cm + (\frac{1}{2} \cdot V is)

ge Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

g m = \frac{I t}{V ov}

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Wie wird Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt ausgewertet?

Der Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt-Evaluator verwendet Input Offset Voltage = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1), um Eingangs-Offsetspannung, Die Eingangsoffsetspannung des MOS-Differentialverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt, ist als die Spannung definiert, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten. Idealerweise sollte der Ausgang des Operationsverstärkers null Volt betragen, wenn die Eingänge geerdet sind. In Wirklichkeit liegen die Eingangsanschlüsse auf leicht unterschiedlichen Gleichstrompotentialen auszuwerten. Eingangs-Offsetspannung wird durch das Symbol V_os gekennzeichnet.

Wie wird Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt zu verwenden, geben Sie Effektive Spannung (V_ov), Seitenverhältnis (WL) & Seitenverhältnis 1 (WL₁) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Wie lautet die Formel zum Finden von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt?

Die Formel von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt wird als Input Offset Voltage = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.223092 = (2.5/2)*(5/1.77).

Wie berechnet man Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt?

Mit Effektive Spannung (V_ov), Seitenverhältnis (WL) & Seitenverhältnis 1 (WL₁) können wir Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt mithilfe der Formel - Input Offset Voltage = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung-

Input Offset Voltage=Output DC Offset Voltage/Differential Gain
Input Offset Voltage=Threshold Voltage*(Saturation Current for DC/Saturation Current)
Input Offset Voltage=sqrt((Change in Collector Resistance/Collector Resistance)^2+(Saturation Current for DC/Saturation Current)^2)

Kann Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt verwendet?

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt gemessen werden kann.

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