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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Formel

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Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten. Überprüfen Sie FAQs

V os = V t \cdot (\frac{I sc}{I s})

V_os - Eingangs-Offsetspannung?V_t - Grenzspannung?I_sc - Sättigungsstrom für Gleichstrom?I_s - Sättigungsstrom?

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus:.

3.5616 = 19.5 \cdot (\frac{0.8}{4.38})

3.5616V = 19.5V \cdot (\frac{0.8mA}{4.38mA})

3.5616 = 19.5 \cdot (\frac{0.8}{4.38})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V os = V t \cdot (\frac{I sc}{I s})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V os = 19.5V \cdot (\frac{0.8mA}{4.38mA})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V os = 19.5V \cdot (\frac{0.0008A}{0.0044A})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V os = 19.5 \cdot (\frac{0.0008}{0.0044})

Nächster Schritt Auswerten

∴

V os = 3.56164383561644V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V os = 3.5616V

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel Elemente

Variablen

Eingangs-Offsetspannung

Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.

Symbol: V_os

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Sättigungsstrom für Gleichstrom

Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.

Symbol: I_sc

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom für Gleichstrom

Sättigungsstrom

Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.

Symbol: I_s

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Andere Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

V os = \frac{V o}{A d}

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

V os = (\frac{V ov}{2}) \cdot (\frac{WL}{WL 1})

ge Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

V os = \sqrt{{(\frac{ΔR c}{R c})}^{2} + {(\frac{I sc}{I s})}^{2}}

Andere Formeln in der Kategorie Differentialkonfiguration

ge Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V L - (\frac{1}{2} \cdot R L)

ge Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V ov + V gs - V L

ge Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

V in = V cm + (\frac{1}{2} \cdot V is)

ge Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

g m = \frac{I t}{V ov}

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Wie wird Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom ausgewertet?

Der Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom-Evaluator verwendet Input Offset Voltage = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom), um Eingangs-Offsetspannung, Die Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei gegebener Sättigungsstromformel ist definiert als die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang null Volt zu erhalten. Idealerweise sollte der Ausgang des Operationsverstärkers auf Null Volt liegen, wenn die Eingänge geerdet sind. in Wirklichkeit liegen die Eingangsanschlüsse auf leicht unterschiedlichen Gleichspannungspotentialen auszuwerten. Eingangs-Offsetspannung wird durch das Symbol V_os gekennzeichnet.

Wie wird Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom zu verwenden, geben Sie Grenzspannung (V_t), Sättigungsstrom für Gleichstrom (I_sc) & Sättigungsstrom (I_s) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Wie lautet die Formel zum Finden von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Die Formel von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom wird als Input Offset Voltage = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4.741641 = 19.5*(0.0008/0.00438).

Wie berechnet man Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Mit Grenzspannung (V_t), Sättigungsstrom für Gleichstrom (I_sc) & Sättigungsstrom (I_s) können wir Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom mithilfe der Formel - Input Offset Voltage = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung-

Input Offset Voltage=Output DC Offset Voltage/Differential Gain
Input Offset Voltage=(Effective Voltage/2)*(Aspect Ratio/Aspect Ratio 1)
Input Offset Voltage=sqrt((Change in Collector Resistance/Collector Resistance)^2+(Saturation Current for DC/Saturation Current)^2)

Kann Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom verwendet?

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom gemessen werden kann.

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