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Effektive Kapazität im CMOS Formel

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Die effektive Kapazität im CMOS ist definiert als das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz. Überprüfen Sie FAQs

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

C_eff - Effektive Kapazität im CMOS?D - Auslastungsgrad?i_off - Aus Strom?V_bc - Basiskollektorspannung?N_g - Gates auf kritischem Weg?[BoltZ] - Boltzmann-Konstante?

Effektive Kapazität im CMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Effektive Kapazität im CMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Effektive Kapazität im CMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Effektive Kapazität im CMOS aus:.

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

5.1379μF = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

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Effektive Kapazität im CMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Effektive Kapazität im CMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C eff = 5.13789525162511E-06F

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C eff = 5.13789525162511μF

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C eff = 5.1379μF

Effektive Kapazität im CMOS Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Effektive Kapazität im CMOS

Die effektive Kapazität im CMOS ist definiert als das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.

Symbol: C_eff

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Kapazität im CMOS

Auslastungsgrad

Ein Arbeitszyklus oder Leistungszyklus ist der Bruchteil einer Periode, in der ein Signal oder System aktiv ist.

Symbol: D

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Auslastungsgrad

Aus Strom

Der Ausschaltstrom eines Schalters ist in der Realität ein nicht vorhandener Wert. Echte Schalter haben normalerweise einen sehr geringen Ausschaltstrom, der manchmal auch als Leckstrom bezeichnet wird.

Symbol: i_off

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aus Strom

Basiskollektorspannung

Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.

Symbol: V_bc

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Basiskollektorspannung

Gates auf kritischem Weg

Gatter auf kritischem Pfad sind definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit im CMOS benötigt werden.

Symbol: N_g

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gates auf kritischem Weg

Boltzmann-Konstante

Die Boltzmann-Konstante setzt die durchschnittliche kinetische Energie von Teilchen in einem Gas mit der Temperatur des Gases in Beziehung und ist eine grundlegende Konstante in der statistischen Mechanik und Thermodynamik.

Symbol: [BoltZ]

Wert: 1.38064852E-23 J/K

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften der CMOS-Schaltung

ge Kritische CMOS-Spannung

V c = E c \cdot L

ge CMOS mittlerer freier Pfad

L = \frac{V c}{E c}

ge Breite der Quellendiffusion

W = \frac{A s}{D s}

ge Bereich der Quellendiffusion

A s = D s \cdot W

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Effektive Kapazität im CMOS ausgewertet?

Der Effektive Kapazität im CMOS-Evaluator verwendet Effective Capacitance in CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung), um Effektive Kapazität im CMOS, Die effektive Kapazität in der CMOS-Formel ist definiert als das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer Differenz des elektrischen Potentials auszuwerten. Effektive Kapazität im CMOS wird durch das Symbol C_eff gekennzeichnet.

Wie wird Effektive Kapazität im CMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Effektive Kapazität im CMOS zu verwenden, geben Sie Auslastungsgrad (D), Aus Strom (i_off), Basiskollektorspannung (V_bc) & Gates auf kritischem Weg (N_g) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Effektive Kapazität im CMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Effektive Kapazität im CMOS?

Die Formel von Effektive Kapazität im CMOS wird als Effective Capacitance in CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02).

Wie berechnet man Effektive Kapazität im CMOS?

Mit Auslastungsgrad (D), Aus Strom (i_off), Basiskollektorspannung (V_bc) & Gates auf kritischem Weg (N_g) können wir Effektive Kapazität im CMOS mithilfe der Formel - Effective Capacitance in CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung) finden. Diese Formel verwendet auch Boltzmann-Konstante .

Kann Effektive Kapazität im CMOS negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Effektive Kapazität im CMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Effektive Kapazität im CMOS verwendet?

Effektive Kapazität im CMOS wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Effektive Kapazität im CMOS gemessen werden kann.

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