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Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Formel

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Die Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung ist die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchschlag im Transistor kommt. Überprüfen Sie FAQs

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

V_ce - Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung?V_cb - Kollektor-Basis-Break-Spannung?i_g - Aktueller Gewinn von BJT?n - Stammnummer?

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters aus:.

2.1036 = \frac{3.52}{{(2.8)}^{\frac{1}{2}}}

2.1036V = \frac{3.52V}{{(2.8V)}^{\frac{1}{2}}}

2.1036 = \frac{3.52}{{(2.8)}^{\frac{1}{2}}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V ce = \frac{3.52V}{{(2.8V)}^{\frac{1}{2}}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V ce = \frac{3.52}{{(2.8)}^{\frac{1}{2}}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V ce = 2.10360235242853V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V ce = 2.1036V

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Formel Elemente

Variablen

Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung

Die Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung ist die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchschlag im Transistor kommt.

Symbol: V_ce

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung

Kollektor-Basis-Break-Spannung

Die Kollektor-Basis-Breakout-Spannung ist die maximale Spannung zwischen den Kollektor- und Basisanschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchbruch im Transistor kommt.

Symbol: V_cb

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kollektor-Basis-Break-Spannung

Aktueller Gewinn von BJT

Die Stromverstärkung von BJT wird verwendet, um die Verstärkungseigenschaften des Transistors zu beschreiben. Sie gibt an, um wie viel der Kollektorstrom gegenüber dem Basisstrom verstärkt wird.

Symbol: i_g

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aktueller Gewinn von BJT

Stammnummer

Die Wurzelzahl stellt eine Konstante oder einen Faktor dar, der dem Transistor zugeordnet ist.

Symbol: n

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stammnummer

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ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

ge Leitfähigkeit vom N-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

ge Leitfähigkeit vom P-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

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Wie wird Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters ausgewertet?

Der Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters-Evaluator verwendet Collector Emitter Breakout Voltage = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer), um Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung, Die Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters ist ein kritischer Parameter in Bipolar-Junction-Transistoren (BJTs). Sie stellt die maximale Spannung dar, die zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen des Transistors angelegt werden kann, ohne dass es zu einem Durchbruch oder Lawineneffekt kommt. Dies ist eine wichtige Spezifikation, um den ordnungsgemäßen und sicheren Betrieb des Transistors sicherzustellen auszuwerten. Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung wird durch das Symbol V_ce gekennzeichnet.

Wie wird Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters zu verwenden, geben Sie Kollektor-Basis-Break-Spannung (V_cb), Aktueller Gewinn von BJT (i_g) & Stammnummer (n) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Wie lautet die Formel zum Finden von Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters?

Die Formel von Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters wird als Collector Emitter Breakout Voltage = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.103602 = 3.52/(2.8)^(1/2).

Wie berechnet man Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters?

Mit Kollektor-Basis-Break-Spannung (V_cb), Aktueller Gewinn von BJT (i_g) & Stammnummer (n) können wir Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters mithilfe der Formel - Collector Emitter Breakout Voltage = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer) finden.

Kann Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters verwendet?

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters gemessen werden kann.

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