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Drainstrom des Transistors Formel

geMomentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Formel

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Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

i d = \frac{V fc + V d}{R d}

i_d - Stromverbrauch?V_fc - Grundkomponentenspannung?V_d - Gesamte momentane Entladespannung?R_d - Abflusswiderstand?

Drainstrom des Transistors Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Drainstrom des Transistors aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Drainstrom des Transistors aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Drainstrom des Transistors aus:.

17.4556 = \frac{5 + 1.284}{0.36}

17.4556mA = \frac{5V + 1.284V}{0.36kΩ}

17.4556 = \frac{5 + 1.284}{0.36}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Verstärker » fx Drainstrom des Transistors

Drainstrom des Transistors Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Drainstrom des Transistors?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

i d = \frac{V fc + V d}{R d}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

i d = \frac{5V + 1.284V}{0.36kΩ}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

i d = \frac{5V + 1.284V}{360Ω}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

i d = \frac{5 + 1.284}{360}

Nächster Schritt Auswerten

∴

i d = 0.0174555555555556A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

i d = 17.4555555555556mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

i d = 17.4556mA

Drainstrom des Transistors Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Grundkomponentenspannung

Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.

Symbol: V_fc

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grundkomponentenspannung

Gesamte momentane Entladespannung

Die gesamte momentane Drain-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_d

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gesamte momentane Entladespannung

Abflusswiderstand

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.

Symbol: R_d

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

i d = K n \cdot (V ox - V t) \cdot V gs

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften des Transistorverstärkers

ge Gesamte momentane Drain-Spannung

V d = V fc - R d \cdot i d

ge Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

ge Eingangsspannung im Transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

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Wie wird Drainstrom des Transistors ausgewertet?

Der Drainstrom des Transistors-Evaluator verwendet Drain Current = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand, um Stromverbrauch, Der Drainstrom eines Transistors bezieht sich auf den Stromfluss durch den Kollektor eines Bipolartransistors vom Kollektor zum Emitter auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol i_d gekennzeichnet.

Wie wird Drainstrom des Transistors mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Drainstrom des Transistors zu verwenden, geben Sie Grundkomponentenspannung (V_fc), Gesamte momentane Entladespannung (V_d) & Abflusswiderstand (R_d) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Drainstrom des Transistors

Wie lautet die Formel zum Finden von Drainstrom des Transistors?

Die Formel von Drainstrom des Transistors wird als Drain Current = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 17499.3 = (5+1.284)/360.

Wie berechnet man Drainstrom des Transistors?

Mit Grundkomponentenspannung (V_fc), Gesamte momentane Entladespannung (V_d) & Abflusswiderstand (R_d) können wir Drainstrom des Transistors mithilfe der Formel - Drain Current = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=Transconductance Parameter*(Voltage across Oxide-Threshold Voltage)*Voltage between Gate and Source

Kann Drainstrom des Transistors negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Drainstrom des Transistors kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drainstrom des Transistors verwendet?

Drainstrom des Transistors wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drainstrom des Transistors gemessen werden kann.

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