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Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Formel

geDrainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET Formel

geStrom in Lastleitung ableiten Formel

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Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

i_d - Stromverbrauch?I_b - DC-Vorstrom?V_ov - Overdrive-Spannung?V_id - Differenzielles Eingangssignal?

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus:.

4.7356 = (\frac{985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

4.7356mA = (\frac{985mA}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

4.7356 = (\frac{985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

i d = (\frac{985mA}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

i d = (\frac{0.985A}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

i d = (\frac{0.985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

Nächster Schritt Auswerten

∴

i d = 0.00473557692307692A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

i d = 4.73557692307692mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

i d = 4.7356mA

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

DC-Vorstrom

Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.

Symbol: I_b

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von DC-Vorstrom

Overdrive-Spannung

Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Overdrive-Spannung

Differenzielles Eingangssignal

Ein Differenzeingangssignal bezieht sich auf eine Art elektrisches Signal, das aus zwei separaten Spannungssignalen besteht, die jeweils in Bezug auf einen gemeinsamen Referenzpunkt gemessen werden, der üblicherweise als Erde bezeichnet wird.

Symbol: V_id

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Differenzielles Eingangssignal

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

ge Strom in Lastleitung ableiten

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

ge Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

ge Momentaner Abflussstrom

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Andere Formeln in der Kategorie Aktuell

ge Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

ge Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

ge Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

ge Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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Wie wird Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung ausgewertet?

Der Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung-Evaluator verwendet Drain Current = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2), um Stromverbrauch, Der Drain-Strom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei gegebener Overdrive-Spannungsformel ist so definiert, dass er die Stromleitfähigkeit des Siliziumchips angibt; Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden. Es sollte jedoch nicht zugelassen werden, dass der Nenn-Maximal-Drain-Strom zum Chip fließt auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol i_d gekennzeichnet.

Wie wird Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung zu verwenden, geben Sie DC-Vorstrom (I_b), Overdrive-Spannung (V_ov) & Differenzielles Eingangssignal (V_id) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?

Die Formel von Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung wird als Drain Current = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4735.577 = (0.985/3.12)*(0.03/2).

Wie berechnet man Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?

Mit DC-Vorstrom (I_b), Overdrive-Spannung (V_ov) & Differenzielles Eingangssignal (V_id) können wir Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung mithilfe der Formel - Drain Current = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

Kann Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung verwendet?

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung gemessen werden kann.

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