FormulaDen.com

Physik Chemie Mathe Chemieingenieurwesen Bürgerlich Elektrisch Elektronik Elektronik und Instrumentierung Materialwissenschaften Mechanisch Fertigungstechnik Finanz Gesundheit

Drain-Widerstand des MESFET Formel

Fx Kopieren

LaTeX Kopieren

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

R d = (\frac{4 \cdot {f m}^{2}}{{f co}^{2}}) \cdot (R s + R g + R i)

R_d - Abflusswiderstand?f_m - Maximale Schwingungsfrequenz?f_co - Grenzfrequenz?R_s - Quellenwiderstand?R_g - Gate-Metallisierungswiderstand?R_i - Eingangswiderstand?

Drain-Widerstand des MESFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Drain-Widerstand des MESFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Drain-Widerstand des MESFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Drain-Widerstand des MESFET aus:.

450.104 = (\frac{4 \cdot 65^{2}}{{30.05}^{2}}) \cdot (5.75 + 2.8 + 15.5)

450.104Ω = (\frac{4 \cdot {65Hz}^{2}}{{30.05Hz}^{2}}) \cdot (5.75Ω + 2.8Ω + 15.5Ω)

450.104 = (\frac{4 \cdot 65^{2}}{{30.05}^{2}}) \cdot (5.75 + 2.8 + 15.5)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

Berechnung

Neu berechnen

Lösung

Kopieren

Zurücksetzen

Aktie

Sie sind hier -

Heim » Category

Maschinenbau » Category

Elektronik » Category

Mikrowellentheorie » fx Drain-Widerstand des MESFET

Drain-Widerstand des MESFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Drain-Widerstand des MESFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R d = (\frac{4 \cdot {f m}^{2}}{{f co}^{2}}) \cdot (R s + R g + R i)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R d = (\frac{4 \cdot {65Hz}^{2}}{{30.05Hz}^{2}}) \cdot (5.75Ω + 2.8Ω + 15.5Ω)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R d = (\frac{4 \cdot 65^{2}}{{30.05}^{2}}) \cdot (5.75 + 2.8 + 15.5)

Nächster Schritt Auswerten

∴

R d = 450.103958737656Ω

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

R d = 450.104Ω

Drain-Widerstand des MESFET Formel Elemente

Variablen

Abflusswiderstand

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.

Symbol: R_d

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

Maximale Schwingungsfrequenz

Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.

Symbol: f_m

Messung: FrequenzEinheit: Hz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Maximale Schwingungsfrequenz

Grenzfrequenz

Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

Symbol: f_co

Messung: FrequenzEinheit: Hz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzfrequenz

Quellenwiderstand

Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.

Symbol: R_s

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Quellenwiderstand

Gate-Metallisierungswiderstand

Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.

Symbol: R_g

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Metallisierungswiderstand

Eingangswiderstand

Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.

Symbol: R_i

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingangswiderstand

Andere Formeln in der Kategorie MESFET-Eigenschaften

ge Gate-Länge des MESFET

L gate = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot f co}

ge Grenzfrequenz

f co = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot L gate}

ge Transkonduktanz im MESFET

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

ge Gate-Source-Kapazität

C gs = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot f co}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Drain-Widerstand des MESFET ausgewertet?

Der Drain-Widerstand des MESFET-Evaluator verwendet Drain Resistance = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand), um Abflusswiderstand, Der Drain-Widerstand der MESFET-Formel ist definiert als das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei einer konstanten Gate-Source-Spannung auszuwerten. Abflusswiderstand wird durch das Symbol R_d gekennzeichnet.

Wie wird Drain-Widerstand des MESFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Drain-Widerstand des MESFET zu verwenden, geben Sie Maximale Schwingungsfrequenz (f_m), Grenzfrequenz (f_co), Quellenwiderstand (R_s), Gate-Metallisierungswiderstand (R_g) & Eingangswiderstand (R_i) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Drain-Widerstand des MESFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Drain-Widerstand des MESFET?

Die Formel von Drain-Widerstand des MESFET wird als Drain Resistance = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 450.104 = ((4*65^2)/30.05^2)*(5.75+2.8+15.5).

Wie berechnet man Drain-Widerstand des MESFET?

Mit Maximale Schwingungsfrequenz (f_m), Grenzfrequenz (f_co), Quellenwiderstand (R_s), Gate-Metallisierungswiderstand (R_g) & Eingangswiderstand (R_i) können wir Drain-Widerstand des MESFET mithilfe der Formel - Drain Resistance = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand) finden.

Kann Drain-Widerstand des MESFET negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene Drain-Widerstand des MESFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain-Widerstand des MESFET verwendet?

Drain-Widerstand des MESFET wird normalerweise mit Ohm[Ω] für Elektrischer Widerstand gemessen. Megahm[Ω], Mikroohm[Ω], Volt pro Ampere[Ω] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain-Widerstand des MESFET gemessen werden kann.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

Drain-Widerstand des MESFET Formel

Drain-Widerstand des MESFET Beispiel

Drain-Widerstand des MESFET Lösung

Drain-Widerstand des MESFET Formel Elemente

Andere Formeln in der Kategorie MESFET-Eigenschaften

Wie wird Drain-Widerstand des MESFET ausgewertet?

FAQs An Drain-Widerstand des MESFET

Variable Name