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Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

geGesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors Formel

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Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt. Überprüfen Sie FAQs

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

I_d - Stromverbrauch?k'_p - Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten?WL - Seitenverhältnis?V_ov - Effektive Spannung?V_DS - Spannung zwischen Drain und Source?

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd aus:.

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

28.8635mA = 2.1mS \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I d = 2.1mS \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I d = 0.0021S \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I d = 0.0021 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

Nächster Schritt Auswerten

∴

I d = 0.02886345A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I d = 28.86345mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I d = 28.8635mA

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.

Symbol: I_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten

Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.

Symbol: k'_p

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten

Seitenverhältnis

Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle

Symbol: WL

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Seitenverhältnis

Effektive Spannung

Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Spannung zwischen Drain und Source

Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.

Symbol: V_DS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Drain und Source

modulus

Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird.

Syntax: modulus

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

ge Strom im Inversionskanal von PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

ge Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

ge Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

ge Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

V y = μ p \cdot E y

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd ausgewertet?

Der Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd-Evaluator verwendet Drain Current = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source, um Stromverbrauch, Der Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors ist Vsd gegeben, wobei die Source die kleine Spannung und der Drain die größte Spannung ist (sie sind austauschbar). In PMOS-Transistoren sind Löcher die Ladungsträger und Strom fließt wegen der Löcher auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol I_d gekennzeichnet.

Wie wird Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten (k'_p), Seitenverhältnis (WL), Effektive Spannung (V_ov) & Spannung zwischen Drain und Source (V_DS) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Wie lautet die Formel zum Finden von Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd?

Die Formel von Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd wird als Drain Current = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 28863.45 = 0.0021*6*(modulus(2.16)-1/2*2.45)*2.45.

Wie berechnet man Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd?

Mit Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten (k'_p), Seitenverhältnis (WL), Effektive Spannung (V_ov) & Spannung zwischen Drain und Source (V_DS) können wir Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd mithilfe der Formel - Drain Current = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source finden. Diese Formel verwendet auch Modul (Modul) Funktion(en).

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

Kann Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd verwendet?

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd gemessen werden kann.

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Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Lösung

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Wie wird Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd ausgewertet?

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geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

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