Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Formel

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Differenzverstärkung ist die Verstärkung des Verstärkers, wenn ein Differenzeingang gespeist wird, d. h. Eingang 1 ist nicht gleich Eingang 2. Überprüfen Sie FAQs
Ad=gm(1βR'1+(11βR'2))
Ad - Differenzgewinn?gm - Transkonduktanz?β - Gemeinsame Emitterstromverstärkung?R'1 - Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung?R'2 - Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung?

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker aus:.

7.009Edit=0.25Edit(16.52Edit5.8Edit+(116.52Edit4.3Edit))
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Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ad=gm(1βR'1+(11βR'2))
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ad=0.25mS(16.525.8+(116.524.3))
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ad=0.0002S(16.525800Ω+(116.524300Ω))
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ad=0.0002(16.525800+(116.524300))
Nächster Schritt Auswerten
Ad=7.00900000661096
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ad=7.009

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Formel Elemente

Variablen
Differenzgewinn
Differenzverstärkung ist die Verstärkung des Verstärkers, wenn ein Differenzeingang gespeist wird, d. h. Eingang 1 ist nicht gleich Eingang 2.
Symbol: Ad
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Transkonduktanz
Die Transkonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs.
Symbol: β
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung
Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Symbol: R'1
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung
Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Symbol: R'2
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Differentialkonfiguration

​ge Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers
Vcmr=Vt+VL-(12RL)
​ge Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers
Vcmr=Vt+Vov+Vgs-VL
​ge Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb
Vin=Vcm+(12Vis)
​ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers
Vos=VoAd

Wie wird Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker ausgewertet?

Der Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker-Evaluator verwendet Differential Gain = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung)))), um Differenzgewinn, Die Formel für die Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker ist definiert als die Änderung des Farbsättigungsniveaus (Amplitude der Farbmodulation) bei einer Änderung der Niederfrequenz-Luma-Amplitude (Helligkeit) auszuwerten. Differenzgewinn wird durch das Symbol Ad gekennzeichnet.

Wie wird Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker zu verwenden, geben Sie Transkonduktanz (gm), Gemeinsame Emitterstromverstärkung (β), Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung (R'1) & Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung (R'2) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Wie lautet die Formel zum Finden von Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker?
Die Formel von Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker wird als Differential Gain = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung)))) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 59.125 = 0.00025*(1/(6.52*5800)+(1/(1/(6.52*4300)))).
Wie berechnet man Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker?
Mit Transkonduktanz (gm), Gemeinsame Emitterstromverstärkung (β), Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung (R'1) & Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung (R'2) können wir Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker mithilfe der Formel - Differential Gain = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung)))) finden.
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