Breite des Verarmungsbereichs Formel

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Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung. Überprüfen Sie FAQs
Ld=Lpn-Leff
Ld - Breite der Verarmungsregion?Lpn - PN-Verbindungslänge?Leff - Effektive Kanallänge?

Breite des Verarmungsbereichs Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Breite des Verarmungsbereichs aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Breite des Verarmungsbereichs aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Breite des Verarmungsbereichs aus:.

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Breite des Verarmungsbereichs Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Breite des Verarmungsbereichs?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ld=Lpn-Leff
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ld=19mm-8mm
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ld=0.019m-0.008m
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ld=0.019-0.008
Nächster Schritt Auswerten
Ld=0.011m
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Ld=11mm

Breite des Verarmungsbereichs Formel Elemente

Variablen
Breite der Verarmungsregion
Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.
Symbol: Ld
Messung: LängeEinheit: mm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
PN-Verbindungslänge
Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.
Symbol: Lpn
Messung: LängeEinheit: mm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Effektive Kanallänge
Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.
Symbol: Leff
Messung: LängeEinheit: mm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften der CMOS-Schaltung

​ge Kritische CMOS-Spannung
Vc=EcL
​ge CMOS mittlerer freier Pfad
L=VcEc
​ge Breite der Quellendiffusion
W=AsDs
​ge Bereich der Quellendiffusion
As=DsW

Wie wird Breite des Verarmungsbereichs ausgewertet?

Der Breite des Verarmungsbereichs-Evaluator verwendet Depletion Region Width = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge, um Breite der Verarmungsregion, Die Formel für die Breite des Verarmungsbereichs ist definiert als die physikalische Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode, die von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern reicht, abhängig von der Vorrichtungsgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung auszuwerten. Breite der Verarmungsregion wird durch das Symbol Ld gekennzeichnet.

Wie wird Breite des Verarmungsbereichs mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Breite des Verarmungsbereichs zu verwenden, geben Sie PN-Verbindungslänge (Lpn) & Effektive Kanallänge (Leff) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Breite des Verarmungsbereichs

Wie lautet die Formel zum Finden von Breite des Verarmungsbereichs?
Die Formel von Breite des Verarmungsbereichs wird als Depletion Region Width = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.1E+7 = 1.9E-05-8E-06.
Wie berechnet man Breite des Verarmungsbereichs?
Mit PN-Verbindungslänge (Lpn) & Effektive Kanallänge (Leff) können wir Breite des Verarmungsbereichs mithilfe der Formel - Depletion Region Width = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge finden.
Kann Breite des Verarmungsbereichs negativ sein?
NEIN, der in Länge gemessene Breite des Verarmungsbereichs kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Breite des Verarmungsbereichs verwendet?
Breite des Verarmungsbereichs wird normalerweise mit Millimeter[mm] für Länge gemessen. Meter[mm], Kilometer[mm], Dezimeter[mm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Breite des Verarmungsbereichs gemessen werden kann.
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