Breite der Verarmungszone Formel

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Die Breite des Verarmungsbereichs ist ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem es keine freien Ladungsträger gibt. Überprüfen Sie FAQs
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]Nd)(Vi-Vg)
xdepl - Breite der Verarmungsregion?Nd - Dopingdichte?Vi - Schottky-Potenzialbarriere?Vg - Gate-Spannung?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Breite der Verarmungszone Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Breite der Verarmungszone aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Breite der Verarmungszone aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Breite der Verarmungszone aus:.

0.0002Edit=(11.721.6E-199E+22Edit)(15.9Edit-0.25Edit)
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Breite der Verarmungszone Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Breite der Verarmungszone?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]Nd)(Vi-Vg)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]9E+221/cm³)(15.9V-0.25V)
Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten
xdepl=(11.721.6E-19C9E+221/cm³)(15.9V-0.25V)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
xdepl=(11.721.6E-19C9E+281/m³)(15.9V-0.25V)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
xdepl=(11.721.6E-199E+28)(15.9-0.25)
Nächster Schritt Auswerten
xdepl=0.000159363423174517m
Letzter Schritt Rundungsantwort
xdepl=0.0002m

Breite der Verarmungszone Formel Elemente

Variablen
Konstanten
Funktionen
Breite der Verarmungsregion
Die Breite des Verarmungsbereichs ist ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem es keine freien Ladungsträger gibt.
Symbol: xdepl
Messung: LängeEinheit: m
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Dopingdichte
Die Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial. Dotierstoffe sind Fremdatome, die gezielt in den Halbleiter eingebracht werden.
Symbol: Nd
Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Schottky-Potenzialbarriere
Die Schottky-Potentialbarriere fungiert als Barriere für Elektronen und die Höhe der Barriere hängt von der Austrittsarbeitsdifferenz zwischen den beiden Materialien ab.
Symbol: Vi
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Spannung
Die Gate-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Übergang eines JFET-Transistors entsteht.
Symbol: Vg
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Permittivität von Silizium
Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.
Symbol: [Permitivity-silicon]
Wert: 11.7
Ladung eines Elektrons
Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.
Symbol: [Charge-e]
Wert: 1.60217662E-19 C
sqrt
Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.
Syntax: sqrt(Number)

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Wie wird Breite der Verarmungszone ausgewertet?

Der Breite der Verarmungszone-Evaluator verwendet Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichte))*(Schottky-Potenzialbarriere-Gate-Spannung)), um Breite der Verarmungsregion, Die Formel für die Breite der Verarmungszone ist definiert als ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem es keine freien Ladungsträger gibt. Sie hängt von den Dotierungsniveaus des Halbleitermaterials, der Gate-Spannung und den physikalischen Abmessungen des Geräts ab auszuwerten. Breite der Verarmungsregion wird durch das Symbol xdepl gekennzeichnet.

Wie wird Breite der Verarmungszone mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Breite der Verarmungszone zu verwenden, geben Sie Dopingdichte (Nd), Schottky-Potenzialbarriere (Vi) & Gate-Spannung (Vg) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Breite der Verarmungszone

Wie lautet die Formel zum Finden von Breite der Verarmungszone?
Die Formel von Breite der Verarmungszone wird als Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichte))*(Schottky-Potenzialbarriere-Gate-Spannung)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).
Wie berechnet man Breite der Verarmungszone?
Mit Dopingdichte (Nd), Schottky-Potenzialbarriere (Vi) & Gate-Spannung (Vg) können wir Breite der Verarmungszone mithilfe der Formel - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichte))*(Schottky-Potenzialbarriere-Gate-Spannung)) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität von Silizium, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).
Kann Breite der Verarmungszone negativ sein?
NEIN, der in Länge gemessene Breite der Verarmungszone kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Breite der Verarmungszone verwendet?
Breite der Verarmungszone wird normalerweise mit Meter[m] für Länge gemessen. Millimeter[m], Kilometer[m], Dezimeter[m] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Breite der Verarmungszone gemessen werden kann.
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