Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf Formel

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Bipolare Kaskoden-Spannungsverstärkung bezieht sich auf eine Art Verstärkerkonfiguration, die zwei Transistoren in einer Kaskodenkonfiguration verwendet, um eine höhere Spannungsverstärkung als ein Verstärker mit einem einzelnen Transistor zu erreichen. Überprüfen Sie FAQs
Afo=-gmp(gmsRout)(1Rout1+1Rsm)-1
Afo - Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung?gmp - MOSFET-Primärtranskonduktanz?gms - MOSFET-Sekundärtranskonduktanz?Rout - Endlicher Ausgangswiderstand?Rout1 - Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1?Rsm - Kleinsignal-Eingangswiderstand?

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf aus:.

-49.318Edit=-19.77Edit(10.85Edit0.35Edit)(11.201Edit+11.45Edit)-1
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Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Afo=-gmp(gmsRout)(1Rout1+1Rsm)-1
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Afo=-19.77mS(10.85mS0.35)(11.201+11.45)-1
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Afo=-0.0198S(0.0108S350Ω)(11201Ω+11450Ω)-1
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Afo=-0.0198(0.0108350)(11201+11450)-1
Nächster Schritt Auswerten
Afo=-49.3180315102791
Letzter Schritt Rundungsantwort
Afo=-49.318

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf Formel Elemente

Variablen
Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung
Bipolare Kaskoden-Spannungsverstärkung bezieht sich auf eine Art Verstärkerkonfiguration, die zwei Transistoren in einer Kaskodenkonfiguration verwendet, um eine höhere Spannungsverstärkung als ein Verstärker mit einem einzelnen Transistor zu erreichen.
Symbol: Afo
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
MOSFET-Primärtranskonduktanz
Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gmp
Messung: SteilheitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
MOSFET-Sekundärtranskonduktanz
Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gms
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Endlicher Ausgangswiderstand
Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Symbol: Rout
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1
Der endliche Ausgangswiderstand von Transistor 1 ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Symbol: Rout1
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Kleinsignal-Eingangswiderstand
Der Kleinsignal-Eingangswiderstand 2 zwischen Basis und Emitter modelliert, wie sich die Eingangsimpedanz zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors ändert, wenn ein kleines Wechselstromsignal angelegt wird.
Symbol: Rsm
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Kaskodenverstärker

​ge Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
Rd=(Avogmp2Rout)
​ge Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
Rdg=(1Rout1+1Rin)-1
​ge Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
Avo=-gmp2RoutRd
​ge Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers
Avn=-(gmpRdg)

Wie wird Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf ausgewertet?

Der Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf-Evaluator verwendet Bipolar Cascode Voltage Gain = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1, um Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung, Die Formel für die bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im offenen Schaltkreis ist als Maß für die Fähigkeit einer Zweitorschaltung (häufig eines Verstärkers) definiert, die Leistung oder Amplitude eines Signals vom Eingang zum Ausgangsanschluss durch Hinzufügen von aus einer bestimmten Leistung umgewandelter Energie zu erhöhen Versorgung des Signals auszuwerten. Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung wird durch das Symbol Afo gekennzeichnet.

Wie wird Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf zu verwenden, geben Sie MOSFET-Primärtranskonduktanz (gmp), MOSFET-Sekundärtranskonduktanz (gms), Endlicher Ausgangswiderstand (Rout), Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1 (Rout1) & Kleinsignal-Eingangswiderstand (Rsm) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf

Wie lautet die Formel zum Finden von Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf?
Die Formel von Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf wird als Bipolar Cascode Voltage Gain = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1 ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: -49.315537 = -0.01977*(0.01085*350)*(1/1201+1/1450)^-1.
Wie berechnet man Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf?
Mit MOSFET-Primärtranskonduktanz (gmp), MOSFET-Sekundärtranskonduktanz (gms), Endlicher Ausgangswiderstand (Rout), Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1 (Rout1) & Kleinsignal-Eingangswiderstand (Rsm) können wir Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf mithilfe der Formel - Bipolar Cascode Voltage Gain = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1 finden.
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