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Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Formel

geBasisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom Formel

geBasisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom Formel

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Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten. Überprüfen Sie FAQs

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot e^{\frac{V BE}{V t}}

I_B - Basisstrom?I_sat - Sättigungsstrom?β - Gemeinsame Emitterstromverstärkung?V_BE - Basis-Emitter-Spannung?V_t - Thermische Spannung?

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms aus:.

0.0771 = (\frac{1.675}{65}) \cdot e^{\frac{5.15}{4.7}}

0.0771mA = (\frac{1.675mA}{65}) \cdot e^{\frac{5.15V}{4.7V}}

0.0771 = (\frac{1.675}{65}) \cdot e^{\frac{5.15}{4.7}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot e^{\frac{V BE}{V t}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I B = (\frac{1.675mA}{65}) \cdot e^{\frac{5.15V}{4.7V}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I B = (\frac{0.0017A}{65}) \cdot e^{\frac{5.15V}{4.7V}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I B = (\frac{0.0017}{65}) \cdot e^{\frac{5.15}{4.7}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

I B = 7.70863217186262E-05A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I B = 0.0770863217186262mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I B = 0.0771mA

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Formel Elemente

Variablen

Basisstrom

Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.

Symbol: I_B

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Basisstrom

Sättigungsstrom

Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.

Symbol: I_sat

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.

Symbol: β

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte zwischen 49 und 201 liegen.

Formeln zum Finden von Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basis-Emitter-Spannung

Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.

Symbol: V_BE

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Basis-Emitter-Spannung

Thermische Spannung

Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Thermische Spannung

Andere Formeln zum Finden von Basisstrom

ge Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

I B = \frac{I e}{β + 1}

ge Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

I B = \frac{I c}{β}

ge Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

I B = (1 - α) \cdot I e

Andere Formeln in der Kategorie Basisstrom

ge Basisstromverstärkung

α = \frac{β}{β + 1}

ge Eigener Gewinn von BJT

A o = \frac{V A}{V t}

ge Gesamtverlustleistung in BJT

P = V CE \cdot I c + V BE \cdot I B

ge Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

CMRR = 20 \cdot \log 10 (\frac{A d}{A cm})

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Wie wird Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms ausgewertet?

Der Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms-Evaluator verwendet Base Current = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung), um Basisstrom, Der Basisstrom des PNP-Transistors mit Sättigungsstrom ist proportional zur Anzahl der in die Basis injizierten Elektronen. In einem PNP-Transistor wird der Basisstrom von Löchern getragen, die Minoritätsladungsträger im Material vom P-Typ sind. Wenn eine positive Spannung bezüglich des Emitters an die Basis angelegt wird, werden Löcher aus dem Basisbereich in den Emitterbereich injiziert, und ein Strom fließt durch den Transistor auszuwerten. Basisstrom wird durch das Symbol I_B gekennzeichnet.

Wie wird Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms zu verwenden, geben Sie Sättigungsstrom (I_sat), Gemeinsame Emitterstromverstärkung (β), Basis-Emitter-Spannung (V_BE) & Thermische Spannung (V_t) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Wie lautet die Formel zum Finden von Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms?

Die Formel von Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms wird als Base Current = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 77.08632 = (0.001675/65)*e^(5.15/4.7).

Wie berechnet man Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms?

Mit Sättigungsstrom (I_sat), Gemeinsame Emitterstromverstärkung (β), Basis-Emitter-Spannung (V_BE) & Thermische Spannung (V_t) können wir Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms mithilfe der Formel - Base Current = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Basisstrom?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Basisstrom-

Base Current=Emitter Current/(Common Emitter Current Gain+1)
Base Current=Collector Current/Common Emitter Current Gain
Base Current=(1-Common-Base Current Gain)*Emitter Current

Kann Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms verwendet?

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms gemessen werden kann.

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