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Backgate-Effektparameter in PMOS Formel

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Der Parameter „Backgate-Effekt“ bezieht sich auf ein Phänomen, das bei Feldeffekttransistoren auftritt, bei denen es sich um elektronische Geräte handelt, die zur Verstärkung, zum Schalten und für andere Zwecke verwendet werden. Überprüfen Sie FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Backgate-Effekt-Parameter?N_d - Spenderkonzentration?C_ox - Oxidkapazität?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Backgate-Effektparameter in PMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Backgate-Effektparameter in PMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Backgate-Effektparameter in PMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Backgate-Effektparameter in PMOS aus:.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Backgate-Effektparameter in PMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Backgate-Effektparameter in PMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Nächster Schritt Auswerten

∴

γ p = 0.0290154053183929

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

γ p = 0.029

Backgate-Effektparameter in PMOS Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Backgate-Effekt-Parameter

Symbol: γ_p

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Backgate-Effekt-Parameter

Spenderkonzentration

Die Donorkonzentration ist ein Teil der Halbleiterphysik und bezieht sich auf die Anzahl der Donor-Fremdatome pro Volumeneinheit eines Halbleitermaterials.

Symbol: N_d

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spenderkonzentration

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

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ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Wie wird Backgate-Effektparameter in PMOS ausgewertet?

Der Backgate-Effektparameter in PMOS-Evaluator verwendet Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität, um Backgate-Effekt-Parameter, Der Backgate-Effektparameter in der PMOS-Formel repräsentiert die Änderung der Schwellenspannung für eine gegebene Änderung der Backgate-Spannung auszuwerten. Backgate-Effekt-Parameter wird durch das Symbol γ_p gekennzeichnet.

Wie wird Backgate-Effektparameter in PMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Backgate-Effektparameter in PMOS zu verwenden, geben Sie Spenderkonzentration (N_d) & Oxidkapazität (C_ox) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Backgate-Effektparameter in PMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Backgate-Effektparameter in PMOS?

Die Formel von Backgate-Effektparameter in PMOS wird als Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

Wie berechnet man Backgate-Effektparameter in PMOS?

Mit Spenderkonzentration (N_d) & Oxidkapazität (C_ox) können wir Backgate-Effektparameter in PMOS mithilfe der Formel - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität des Vakuums, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzelfunktion.

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