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Back-Gate-Transkonduktanz Formel

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Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist. Überprüfen Sie FAQs

g b = g m \cdot η

g_b - Back-Gate-Transkonduktanz?g_m - Steilheit?η - Spannungseffizienz?

Back-Gate-Transkonduktanz Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Back-Gate-Transkonduktanz aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Back-Gate-Transkonduktanz aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Back-Gate-Transkonduktanz aus:.

0.0003 = 0.5 \cdot 0.6

0.0003S = 0.5mS \cdot 0.6

0.0003 = 0.5 \cdot 0.6

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Back-Gate-Transkonduktanz Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Back-Gate-Transkonduktanz?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g b = g m \cdot η

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g b = 0.5mS \cdot 0.6

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g b = 0.0005S \cdot 0.6

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g b = 0.0005 \cdot 0.6

Letzter Schritt Auswerten

∴

g b = 0.0003S

Back-Gate-Transkonduktanz Formel Elemente

Variablen

Back-Gate-Transkonduktanz

Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.

Symbol: g_b

Messung: SteilheitEinheit: S

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Back-Gate-Transkonduktanz

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Spannungseffizienz

Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.

Symbol: η

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte kleiner als 1 sein.

Formeln zum Finden von Spannungseffizienz

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Wie wird Back-Gate-Transkonduktanz ausgewertet?

Der Back-Gate-Transkonduktanz-Evaluator verwendet Back Gate Transconductance = Steilheit*Spannungseffizienz, um Back-Gate-Transkonduktanz, Die Back-Gate-Transkonduktanzformel ist als Maß für den Strom definiert, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist. Es ist ein wichtiger Parameter beim MOSFET-Design und bei der Analyse, da er die Leistung und das Verhalten des Geräts beeinflusst auszuwerten. Back-Gate-Transkonduktanz wird durch das Symbol g_b gekennzeichnet.

Wie wird Back-Gate-Transkonduktanz mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Back-Gate-Transkonduktanz zu verwenden, geben Sie Steilheit (g_m) & Spannungseffizienz (η) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Back-Gate-Transkonduktanz

Wie lautet die Formel zum Finden von Back-Gate-Transkonduktanz?

Die Formel von Back-Gate-Transkonduktanz wird als Back Gate Transconductance = Steilheit*Spannungseffizienz ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.0003 = 0.0005*0.6.

Wie berechnet man Back-Gate-Transkonduktanz?

Mit Steilheit (g_m) & Spannungseffizienz (η) können wir Back-Gate-Transkonduktanz mithilfe der Formel - Back Gate Transconductance = Steilheit*Spannungseffizienz finden.

Kann Back-Gate-Transkonduktanz negativ sein?

NEIN, der in Steilheit gemessene Back-Gate-Transkonduktanz kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Back-Gate-Transkonduktanz verwendet?

Back-Gate-Transkonduktanz wird normalerweise mit Siemens[S] für Steilheit gemessen. Millisiemens[S] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Back-Gate-Transkonduktanz gemessen werden kann.

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