FormulaDen.com

Physik Chemie Mathe Chemieingenieurwesen Bürgerlich Elektrisch Elektronik Elektronik und Instrumentierung Materialwissenschaften Mechanisch Fertigungstechnik Finanz Gesundheit

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel

geAusgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand Formel

geAusgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers Formel

Fx Kopieren

LaTeX Kopieren

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

R d = R 2 + 2 \cdot R fi + 2 \cdot R fi \cdot g mp \cdot R 2

R_d - Abflusswiderstand?R₂ - Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung?R_fi - Endlicher Widerstand?g_mp - MOSFET-Primärtranskonduktanz?

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors aus:.

0.3585 = 0.064 + 2 \cdot 0.065 + 2 \cdot 0.065 \cdot 19.77 \cdot 0.064

0.3585kΩ = 0.064kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ \cdot 19.77mS \cdot 0.064kΩ

0.3585 = 0.064 + 2 \cdot 0.065 + 2 \cdot 0.065 \cdot 19.77 \cdot 0.064

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

Berechnung

Neu berechnen

Lösung

Kopieren

Zurücksetzen

Aktie

Sie sind hier -

Heim » Category

Maschinenbau » Category

Elektronik » Category

Verstärker » fx Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R d = R 2 + 2 \cdot R fi + 2 \cdot R fi \cdot g mp \cdot R 2

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R d = 0.064kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ \cdot 19.77mS \cdot 0.064kΩ

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

R d = 64Ω + 2 \cdot 65Ω + 2 \cdot 65Ω \cdot 0.0198S \cdot 64Ω

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R d = 64 + 2 \cdot 65 + 2 \cdot 65 \cdot 0.0198 \cdot 64

Nächster Schritt Auswerten

∴

R d = 358.4864Ω

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

R d = 0.3584864kΩ

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

R d = 0.3585kΩ

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel Elemente

Variablen

Abflusswiderstand

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.

Symbol: R_d

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.

Symbol: R₂

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Endlicher Widerstand

Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.

Symbol: R_fi

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Endlicher Widerstand

MOSFET-Primärtranskonduktanz

Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.

Symbol: g_mp

Messung: SteilheitEinheit: mS

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von MOSFET-Primärtranskonduktanz

Andere Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

ge Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

R d = R out + R so + (g mp \cdot R out \cdot R so)

ge Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

R d = R out + (g mp \cdot R out) \cdot (\frac{1}{R e} + \frac{1}{R sm})

Andere Formeln in der Kategorie Gemeinsamer Quellenverstärker

ge Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

i e = \frac{V in}{R e}

ge Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

V fc = R in \cdot i b

ge Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Z in = {(\frac{1}{R e} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

ge Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

R in = {(\frac{1}{R b} + \frac{1}{R b2} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors ausgewertet?

Der Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors-Evaluator verwendet Drain Resistance = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung, um Abflusswiderstand, Der Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Transistors mit gesteuerter Source ist einfach als die Parallelkombination des Emitter-(Source-)Widerstands RL und des Kleinsignal-Emitter-(Source-)Widerstands des Transistors r . definiert auszuwerten. Abflusswiderstand wird durch das Symbol R_d gekennzeichnet.

Wie wird Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors zu verwenden, geben Sie Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung (R₂), Endlicher Widerstand (R_fi) & MOSFET-Primärtranskonduktanz (g_mp) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Wie lautet die Formel zum Finden von Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors?

Die Formel von Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors wird als Drain Resistance = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.000358 = 64+2*65+2*65*0.01977*64.

Wie berechnet man Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors?

Mit Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung (R₂), Endlicher Widerstand (R_fi) & MOSFET-Primärtranskonduktanz (g_mp) können wir Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors mithilfe der Formel - Drain Resistance = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Abflusswiderstand?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Abflusswiderstand-

Drain Resistance=Finite Output Resistance+Source Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance*Source Resistance)
Drain Resistance=Finite Output Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance)*(1/Emitter Resistance+1/Small Signal Input Resistance)

Kann Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors verwendet?

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors wird normalerweise mit Kiloohm[kΩ] für Elektrischer Widerstand gemessen. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Mikroohm[kΩ] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors gemessen werden kann.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel

​geAusgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand Formel

​geAusgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers Formel

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Beispiel

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Lösung

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel Elemente

Andere Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

Andere Formeln in der Kategorie Gemeinsamer Quellenverstärker

Wie wird Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors ausgewertet?

FAQs An Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Variable Name

geAusgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand Formel

geAusgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers Formel