Anschluss integrierte Spannung VLSI Formel

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Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird. Überprüfen Sie FAQs
Ø0=([BoltZ]T[Charge-e])ln(NAND(Ni)2)
Ø0 - Eingebaute Anschlussspannung?T - Temperatur?NA - Akzeptorkonzentration?ND - Spenderkonzentration?Ni - Intrinsische Konzentration?[BoltZ] - Boltzmann-Konstante?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Anschluss integrierte Spannung VLSI Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Anschluss integrierte Spannung VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Anschluss integrierte Spannung VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Anschluss integrierte Spannung VLSI aus:.

0.7546Edit=(1.4E-23300Edit1.6E-19)ln(1E+16Edit1E+17Edit(1.5E+10Edit)2)
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Anschluss integrierte Spannung VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Anschluss integrierte Spannung VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ø0=([BoltZ]T[Charge-e])ln(NAND(Ni)2)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ø0=([BoltZ]300K[Charge-e])ln(1E+161/cm³1E+171/cm³(1.5E+101/cm³)2)
Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten
Ø0=(1.4E-23J/K300K1.6E-19C)ln(1E+161/cm³1E+171/cm³(1.5E+101/cm³)2)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ø0=(1.4E-23J/K300K1.6E-19C)ln(1E+221/m³1E+231/m³(1.5E+161/m³)2)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ø0=(1.4E-233001.6E-19)ln(1E+221E+23(1.5E+16)2)
Nächster Schritt Auswerten
Ø0=0.75463200359389V
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ø0=0.7546V

Anschluss integrierte Spannung VLSI Formel Elemente

Variablen
Konstanten
Funktionen
Eingebaute Anschlussspannung
Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
Symbol: Ø0
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Temperatur
Die Temperatur spiegelt wider, wie heiß oder kalt ein Objekt oder eine Umgebung ist.
Symbol: T
Messung: TemperaturEinheit: K
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Akzeptorkonzentration
Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Symbol: NA
Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Spenderkonzentration
Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
Symbol: ND
Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Intrinsische Konzentration
Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.
Symbol: Ni
Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Boltzmann-Konstante
Die Boltzmann-Konstante setzt die durchschnittliche kinetische Energie von Teilchen in einem Gas mit der Temperatur des Gases in Beziehung und ist eine grundlegende Konstante in der statistischen Mechanik und Thermodynamik.
Symbol: [BoltZ]
Wert: 1.38064852E-23 J/K
Ladung eines Elektrons
Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.
Symbol: [Charge-e]
Wert: 1.60217662E-19 C
ln
Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion.
Syntax: ln(Number)

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Wie wird Anschluss integrierte Spannung VLSI ausgewertet?

Der Anschluss integrierte Spannung VLSI-Evaluator verwendet Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2), um Eingebaute Anschlussspannung, Die VLSI-Formel für die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird auszuwerten. Eingebaute Anschlussspannung wird durch das Symbol Ø0 gekennzeichnet.

Wie wird Anschluss integrierte Spannung VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Anschluss integrierte Spannung VLSI zu verwenden, geben Sie Temperatur (T), Akzeptorkonzentration (NA), Spenderkonzentration (ND) & Intrinsische Konzentration (Ni) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Anschluss integrierte Spannung VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Anschluss integrierte Spannung VLSI?
Die Formel von Anschluss integrierte Spannung VLSI wird als Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).
Wie berechnet man Anschluss integrierte Spannung VLSI?
Mit Temperatur (T), Akzeptorkonzentration (NA), Spenderkonzentration (ND) & Intrinsische Konzentration (Ni) können wir Anschluss integrierte Spannung VLSI mithilfe der Formel - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Boltzmann-Konstante, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Natürlicher Logarithmus (ln).
Kann Anschluss integrierte Spannung VLSI negativ sein?
NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Anschluss integrierte Spannung VLSI kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Anschluss integrierte Spannung VLSI verwendet?
Anschluss integrierte Spannung VLSI wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Anschluss integrierte Spannung VLSI gemessen werden kann.
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