Fx Копировать
LaTeX Копировать
Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток. Проверьте FAQs
gmp=icVt
gmp - Первичная крутизна МОП-транзистора?ic - Коллекторный ток?Vt - Пороговое напряжение?

Пример Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя выглядит как.

19.76Edit=39.52Edit2Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя?

Первый шаг Рассмотрим формулу
gmp=icVt
Следующий шаг Заменить значения переменных
gmp=39.52mA2V
Следующий шаг Конвертировать единицы
gmp=0.0395A2V
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
gmp=0.03952
Следующий шаг Оценивать
gmp=0.01976S
Последний шаг Преобразовать в единицу вывода
gmp=19.76mS

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя Формула Элементы

Переменные
Первичная крутизна МОП-транзистора
Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.
Символ: gmp
Измерение: крутизнаЕдиница: mS
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Коллекторный ток
Коллекторный ток — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Символ: ic
Измерение: Электрический токЕдиница: mA
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Пороговое напряжение
Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Символ: Vt
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.

Другие формулы для поиска Первичная крутизна МОП-транзистора

​Идти Крутизна усилителя с общим истоком
gmp=fug(Cgs+Cgd)

Другие формулы в категории Характеристики транзисторного усилителя

​Идти Ток эмиттера усилителя с общей базой
ie=VinRe
​Идти Основное напряжение в усилителе с общим эмиттером
Vfc=Rinib
​Идти Входное сопротивление усилителя с общей базой
Zin=(1Re+1Rsm)-1
​Идти Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером
Rin=(1Rb+1Rb2+1Rsm)-1

Как оценить Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя?

Оценщик Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя использует MOSFET Primary Transconductance = Коллекторный ток/Пороговое напряжение для оценки Первичная крутизна МОП-транзистора, Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя представляет собой изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток. Первичная крутизна МОП-транзистора обозначается символом gmp.

Как оценить Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя, введите Коллекторный ток (ic) & Пороговое напряжение (Vt) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

По какой формуле можно найти Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя?
Формула Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя выражается как MOSFET Primary Transconductance = Коллекторный ток/Пороговое напряжение. Вот пример: 19760 = 0.03952/2.
Как рассчитать Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя?
С помощью Коллекторный ток (ic) & Пороговое напряжение (Vt) мы можем найти Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя, используя формулу - MOSFET Primary Transconductance = Коллекторный ток/Пороговое напряжение.
Какие еще способы расчета Первичная крутизна МОП-транзистора?
Вот различные способы расчета Первичная крутизна МОП-транзистора-
  • MOSFET Primary Transconductance=Unity Gain Frequency*(Gate to Source Capacitance+Capacitance Gate to Drain)OpenImg
.
Может ли Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя быть отрицательным?
Нет, Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя, измеренная в крутизна не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя?
Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для крутизна. Сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя.
Copied!