FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала. Проверьте FAQs

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

i_o - Выходной ток?μ_e - Мобильность электрона?C_ox - Оксидная емкость?W_c - Ширина канала?L - Длина канала?V_ox - Напряжение на оксиде?V_t - Пороговое напряжение?V_ds - Напряжение насыщения между стоком и истоком?

Пример Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида выглядит как.

14.6347 = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

14.6347mA = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

14.6347 = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Усилители » fx Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

Первый шаг Рассмотрим формулу

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

i o = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

i o = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

i o = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

Следующий шаг Оценивать

∴

i o = 0.0146347384615385A

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

i o = 14.6347384615385mA

Последний шаг Округление ответа

∴

i o = 14.6347mA

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Формула Элементы

Переменные

Выходной ток

Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала.

Символ: i_o

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Выходной ток

Мобильность электрона

Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.

Символ: μ_e

Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Мобильность электрона

Оксидная емкость

Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.

Символ: C_ox

Измерение: Оксидная емкость на единицу площадиЕдиница: F/m²

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Оксидная емкость

Ширина канала

Ширина канала — это размер канала MOSFET.

Символ: W_c

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ширина канала

Длина канала

Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.

Символ: L

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Длина канала

Напряжение на оксиде

Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.

Символ: V_ox

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение на оксиде

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.

Символ: V_t

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Напряжение насыщения между стоком и истоком

Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.

Символ: V_ds

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение насыщения между стоком и истоком

Другие формулы в категории Характеристики транзисторного усилителя

Идти Общее мгновенное напряжение стока

V d = V fc - R d \cdot i d

Идти Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

Оценщик Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида использует Output Current = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком для оценки Выходной ток, Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном оксидном напряжении, определяет силу электрического поля на оксиде затвора. Это электрическое поле влияет на распределение носителей заряда в полупроводниковой подложке под оксидом. Выходной ток обозначается символом i_o.

Как оценить Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида, введите Мобильность электрона (μ_e), Оксидная емкость (C_ox), Ширина канала (W_c), Длина канала (L), Напряжение на оксиде (V_ox), Пороговое напряжение (V_t) & Напряжение насыщения между стоком и истоком (V_ds) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

По какой формуле можно найти Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

Формула Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида выражается как Output Current = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком. Вот пример: 14634.74 = (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220.

Как рассчитать Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

С помощью Мобильность электрона (μ_e), Оксидная емкость (C_ox), Ширина канала (W_c), Длина канала (L), Напряжение на оксиде (V_ox), Пороговое напряжение (V_t) & Напряжение насыщения между стоком и истоком (V_ds) мы можем найти Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида, используя формулу - Output Current = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком.

Может ли Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида быть отрицательным?

Нет, Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Формула

Пример Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Решение

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Формула Элементы

Другие формулы в категории Характеристики транзисторного усилителя

Как оценить Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида?

FAQs на Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Variable Name