Ток насыщения Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого. Проверьте FAQs
isat=Abe[Charge-e]Dnnpowb
isat - Ток насыщения?Abe - Базовая область излучателя?Dn - Электронная диффузия?npo - Тепловая равновесная концентрация?wb - Ширина базового соединения?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Ток насыщения

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Ток насыщения выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ток насыщения выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ток насыщения выглядит как.

1.8095Edit=0.12Edit1.6E-190.8Edit1E+15Edit0.0085Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Усилители » fx Ток насыщения

Ток насыщения Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ток насыщения?

Первый шаг Рассмотрим формулу
isat=Abe[Charge-e]Dnnpowb
Следующий шаг Заменить значения переменных
isat=0.12cm²[Charge-e]0.8cm²/s1E+151/cm³0.0085cm
Следующий шаг Замещающие значения констант
isat=0.12cm²1.6E-19C0.8cm²/s1E+151/cm³0.0085cm
Следующий шаг Конвертировать единицы
isat=1.2E-51.6E-19C8E-5m²/s1E+211/m³8.5E-5m
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
isat=1.2E-51.6E-198E-51E+218.5E-5
Следующий шаг Оценивать
isat=0.00180951712376471A
Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода
isat=1.80951712376471mA
Последний шаг Округление ответа
isat=1.8095mA

Ток насыщения Формула Элементы

Переменные
Константы
Ток насыщения
Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Символ: isat
Измерение: Электрический токЕдиница: mA
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Базовая область излучателя
Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.
Символ: Abe
Измерение: ОбластьЕдиница: cm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Электронная диффузия
Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Символ: Dn
Измерение: диффузияЕдиница: cm²/s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Тепловая равновесная концентрация
Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.
Символ: npo
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Ширина базового соединения
Ширина базового перехода — это параметр, который показывает ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
Символ: wb
Измерение: ДлинаЕдиница: cm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Заряд электрона
Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.
Символ: [Charge-e]
Ценить: 1.60217662E-19 C

Другие формулы в категории Характеристики усилителя

​Идти Коэффициент усиления мощности усилителя
Ap=PLPin
​Идти Текущее усиление усилителя
Ai=Ioiin
​Идти Ширина базового соединения усилителя
wb=Abe[Charge-e]Dnnpoisat
​Идти Дифференциальное напряжение в усилителе
Vid=Vo(R4R3)(1+R2R1)

Как оценить Ток насыщения?

Оценщик Ток насыщения использует Saturation Current = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения для оценки Ток насыщения, Ток насыщения для BJT - это точка, в которой дальнейшее увеличение тока базы не приведет к соответствующему увеличению тока коллектора. Ток насыщения обозначается символом isat.

Как оценить Ток насыщения с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток насыщения, введите Базовая область излучателя (Abe), Электронная диффузия (Dn), Тепловая равновесная концентрация (npo) & Ширина базового соединения (wb) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ток насыщения

По какой формуле можно найти Ток насыщения?
Формула Ток насыщения выражается как Saturation Current = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения. Вот пример: 1809.517 = (0.12*[Charge-e]*8E-05*1E+15)/8.5E-05.
Как рассчитать Ток насыщения?
С помощью Базовая область излучателя (Abe), Электронная диффузия (Dn), Тепловая равновесная концентрация (npo) & Ширина базового соединения (wb) мы можем найти Ток насыщения, используя формулу - Saturation Current = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения. В этой формуле также используется Заряд электрона константа(ы).
Может ли Ток насыщения быть отрицательным?
Нет, Ток насыщения, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Ток насыщения?
Ток насыщения обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ток насыщения.
Copied!