Технологическая крутизна в PMOS в МОП-транзистор Формулы

Крутизна процесса в PMOS относится к коэффициенту усиления PMOS-транзистора по отношению к его напряжению затвор-исток. И обозначается k'_p. Технологическая крутизна в PMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Технологическая крутизна в PMOS всегда равно отрицательный.

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Технологическая крутизна в PMOS

fxТок стока без модуляции длины канала MOSFETИдти

fxТок насыщения стока MOSFETИдти

FAQ

Что такое Технологическая крутизна в PMOS?

Крутизна процесса в PMOS относится к коэффициенту усиления PMOS-транзистора по отношению к его напряжению затвор-исток. Технологическая крутизна в PMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Технологическая крутизна в PMOS всегда равно отрицательный.

Может ли Технологическая крутизна в PMOS быть отрицательным?

Да, Технологическая крутизна в PMOS, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Технологическая крутизна в PMOS?

Технологическая крутизна в PMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Технологическая крутизна в PMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!