Соотношение сторон в МОП-транзистор Формулы

Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником И обозначается WL.

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Соотношение сторон

fxТок стока без модуляции длины канала MOSFETИдти

fxНапряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжениемИдти

fxКрутизна тока стокаИдти

fxКрутизна заданного параметра крутизны процессаИдти

fxТранскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузкиИдти

fxТехнологическая крутизна с учетом крутизны и тока стокаИдти

fxMOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизныИдти

fxТранскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузкиИдти

fxТок стока с учетом крутизны процесса и крутизныИдти

fxПараметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизныИдти

fxТок стока, заданный NMOS, работает как источник тока, управляемый напряжениемИдти

Соотношение сторон в МОП-транзистор Формулы

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Соотношение сторон

FAQ