FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Соединение Встроенное напряжение СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено. Проверьте FAQs

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Ø₀ - Встроенное напряжение соединения?T - Температура?N_A - Концентрация акцептора?N_D - Концентрация доноров?N_i - Внутренняя концентрация?[BoltZ] - постоянная Больцмана?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Соединение Встроенное напряжение СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Соединение Встроенное напряжение СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Соединение Встроенное напряжение СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Соединение Встроенное напряжение СБИС выглядит как.

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

0.7546V = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Соединение Встроенное напряжение СБИС

Соединение Встроенное напряжение СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Соединение Встроенное напряжение СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{300K}{[Charge-e]}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+221/m³ \cdot \frac{1E+231/m³}{{(1.5E+161/m³)}^{2}})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

Ø 0 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+22 \cdot \frac{1E+23}{{(1.5E+16)}^{2}})

Следующий шаг Оценивать

∴

Ø 0 = 0.75463200359389V

Последний шаг Округление ответа

∴

Ø 0 = 0.7546V

Соединение Встроенное напряжение СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Встроенное напряжение соединения

Символ: Ø₀

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Встроенное напряжение соединения

Температура

Температура отражает, насколько горячим или холодным является объект или окружающая среда.

Символ: T

Измерение: ТемператураЕдиница: K

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Температура

Концентрация акцептора

Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.

Символ: N_A

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.

Символ: N_D

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация доноров

Внутренняя концентрация

Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.

Символ: N_i

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Внутренняя концентрация

постоянная Больцмана

Постоянная Больцмана связывает среднюю кинетическую энергию частиц в газе с температурой газа и является фундаментальной константой в статистической механике и термодинамике.

Символ: [BoltZ]

Ценить: 1.38064852E-23 J/K

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию e, является обратной функцией натуральной показательной функции.

Синтаксис: ln(Number)

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Идти Коэффициент эффекта тела

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Идти Плата за канал

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Идти Критическое напряжение

V x = E x \cdot E ch

Идти DIBL Коэффициент

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Соединение Встроенное напряжение СБИС?

Оценщик Соединение Встроенное напряжение СБИС использует Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2) для оценки Встроенное напряжение соединения, Формула VLSI для встроенного напряжения перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено. Встроенное напряжение соединения обозначается символом Ø₀.

Как оценить Соединение Встроенное напряжение СБИС с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Соединение Встроенное напряжение СБИС, введите Температура (T), Концентрация акцептора (N_A), Концентрация доноров (N_D) & Внутренняя концентрация (N_i) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Соединение Встроенное напряжение СБИС

По какой формуле можно найти Соединение Встроенное напряжение СБИС?

Формула Соединение Встроенное напряжение СБИС выражается как Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2). Вот пример: 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).

Как рассчитать Соединение Встроенное напряжение СБИС?

С помощью Температура (T), Концентрация акцептора (N_A), Концентрация доноров (N_D) & Внутренняя концентрация (N_i) мы можем найти Соединение Встроенное напряжение СБИС, используя формулу - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2). В этой формуле также используются функции постоянная Больцмана, Заряд электрона, константа(ы) и Функция натурального логарифма.

Может ли Соединение Встроенное напряжение СБИС быть отрицательным?

Нет, Соединение Встроенное напряжение СБИС, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Соединение Встроенное напряжение СБИС?

Соединение Встроенное напряжение СБИС обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Соединение Встроенное напряжение СБИС.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Соединение Встроенное напряжение СБИС Формула

Пример Соединение Встроенное напряжение СБИС

Соединение Встроенное напряжение СБИС Решение

Соединение Встроенное напряжение СБИС Формула Элементы

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Как оценить Соединение Встроенное напряжение СБИС?

FAQs на Соединение Встроенное напряжение СБИС

Variable Name