Проводимость канала МОП-транзисторов Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем. Проверьте FAQs
G=μsCox(WcL)Vox
G - Проводимость канала?μs - Мобильность электронов на поверхности канала?Cox - Оксидная емкость?Wc - ширина канала?L - Длина канала?Vox - Напряжение на оксиде?

Пример Проводимость канала МОП-транзисторов

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзисторов выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзисторов выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзисторов выглядит как.

19.2888Edit=38Edit940Edit(10Edit100Edit)5.4Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Аналоговая электроника » fx Проводимость канала МОП-транзисторов

Проводимость канала МОП-транзисторов Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Проводимость канала МОП-транзисторов?

Первый шаг Рассмотрим формулу
G=μsCox(WcL)Vox
Следующий шаг Заменить значения переменных
G=38m²/V*s940μF(10μm100μm)5.4V
Следующий шаг Конвертировать единицы
G=38m²/V*s0.0009F(1E-5m0.0001m)5.4V
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
G=380.0009(1E-50.0001)5.4
Следующий шаг Оценивать
G=0.0192888S
Последний шаг Преобразовать в единицу вывода
G=19.2888mS

Проводимость канала МОП-транзисторов Формула Элементы

Переменные
Проводимость канала
Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.
Символ: G
Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Мобильность электронов на поверхности канала
Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.
Символ: μs
Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Оксидная емкость
Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
Символ: Cox
Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF
Примечание: Значение должно быть больше 0.
ширина канала
Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Символ: Wc
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Длина канала
Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Символ: L
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Напряжение на оксиде
Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
Символ: Vox
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Другие формулы в категории Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель

​Идти Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
Wc=CocCoxLov
​Идти Емкость перекрытия MOSFET
Coc=WcCoxLov
​Идти Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET
Cg=CoxWcL
​Идти Частота перехода MOSFET
ft=gm2π(Csg+Cgd)

Как оценить Проводимость канала МОП-транзисторов?

Оценщик Проводимость канала МОП-транзисторов использует Conductance of Channel = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде для оценки Проводимость канала, Проводимость канала полевых МОП-транзисторов, определяемая как отношение ионного тока через канал к приложенному напряжению, может быть вычислена после того, как ток, количество ионов, которые проходят через канал в единицу времени, когда к системе приложено внешнее электрическое поле. . Проводимость канала обозначается символом G.

Как оценить Проводимость канала МОП-транзисторов с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Проводимость канала МОП-транзисторов, введите Мобильность электронов на поверхности канала s), Оксидная емкость (Cox), ширина канала (Wc), Длина канала (L) & Напряжение на оксиде (Vox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Проводимость канала МОП-транзисторов

По какой формуле можно найти Проводимость канала МОП-транзисторов?
Формула Проводимость канала МОП-транзисторов выражается как Conductance of Channel = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде. Вот пример: 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4.
Как рассчитать Проводимость канала МОП-транзисторов?
С помощью Мобильность электронов на поверхности канала s), Оксидная емкость (Cox), ширина канала (Wc), Длина канала (L) & Напряжение на оксиде (Vox) мы можем найти Проводимость канала МОП-транзисторов, используя формулу - Conductance of Channel = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде.
Может ли Проводимость канала МОП-транзисторов быть отрицательным?
Да, Проводимость канала МОП-транзисторов, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Проводимость канала МОП-транзисторов?
Проводимость канала МОП-транзисторов обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Проводимость канала МОП-транзисторов.
Copied!