FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Напряжение — это разность электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками. Проверьте FAQs

V = V A \cdot L

V - Напряжение?V_A - Параметр устройства?L - Длина канала?

Пример Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS выглядит как.

1.2E-5 = 4 \cdot 3

1.2E-5V = 4V \cdot 3μm

1.2E-5 = 4 \cdot 3

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

V = V A \cdot L

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

V = 4V \cdot 3μm

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

V = 4V \cdot 3E-6m

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

V = 4 \cdot 3E-6

Следующий шаг Оценивать

∴

V = 1.2E-05V

Последний шаг Округление ответа

∴

V = 1.2E-5V

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Формула Элементы

Переменные

Напряжение

Символ: V

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Напряжение

Параметр устройства

Параметр устройства — это параметр, используемый в расчетах, связанных с MOSFET. VA пропорционален длине канала L, которую разработчик выбирает для MOSFET.

Символ: V_A

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр устройства

Длина канала

Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.

Символ: L

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Длина канала

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Идти Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

v d = μ n \cdot E L

Идти NMOS как линейное сопротивление

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Идти Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Идти Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Узнать больше OpenImg

Как оценить Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

Оценщик Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS использует Voltage = Параметр устройства*Длина канала для оценки Напряжение, Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS увеличивается с легированием, в то время как порог структуры pMOS уменьшается с легированием таким же образом. Изменение напряжения плоской полосы из-за заряда оксида приведет к тому, что обе кривые сместятся вниз, если заряд положительный, и вверх, если заряд отрицательный. Напряжение обозначается символом V.

Как оценить Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS, введите Параметр устройства (V_A) & Длина канала (L) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

По какой формуле можно найти Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

Формула Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS выражается как Voltage = Параметр устройства*Длина канала. Вот пример: 1.2E-5 = 4*3E-06.

Как рассчитать Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

С помощью Параметр устройства (V_A) & Длина канала (L) мы можем найти Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS, используя формулу - Voltage = Параметр устройства*Длина канала.

Может ли Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS быть отрицательным?

Да, Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS, измеренная в Электрический потенциал может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Формула

Пример Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Решение

Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS Формула Элементы

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Как оценить Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS?

FAQs на Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

Variable Name