FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Плотность заряда области массового истощения СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Объемная плотность заряда области обеднения определяется как электрический заряд на единицу площади, связанной с областью обеднения в объеме полупроводникового устройства. Проверьте FAQs

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Q_B0 - Плотность заряда области массового истощения?ΔL_s - Боковая протяженность области истощения с источником?ΔL_D - Боковая протяженность области истощения с дренажом?L - Длина канала?N_A - Концентрация акцептора?Φ_s - Поверхностный потенциал?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?

Пример Плотность заряда области массового истощения СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Плотность заряда области массового истощения СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Плотность заряда области массового истощения СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Плотность заряда области массового истощения СБИС выглядит как.

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

-0.2006μC/cm² = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Плотность заряда области массового истощения СБИС

Плотность заряда области массового истощения СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Плотность заряда области массового истощения СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7m + 2E-7m}{2 \cdot 2.5E-6m})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7 + 2E-7}{2 \cdot 2.5E-6})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Следующий шаг Оценивать

∴

Q B0 = -0.00200557851391776C/m²

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

Q B0 = -0.200557851391776μC/cm²

Последний шаг Округление ответа

∴

Q B0 = -0.2006μC/cm²

Плотность заряда области массового истощения СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Плотность заряда области массового истощения

Символ: Q_B0

Измерение: Плотность поверхностного зарядаЕдиница: μC/cm²

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Плотность заряда области массового истощения

Боковая протяженность области истощения с источником

Боковая протяженность области истощения с источником — горизонтальное расстояние, на котором область истощения простирается вбок от вывода источника в полупроводниковом устройстве.

Символ: ΔL_s

Измерение: ДлинаЕдиница: μm