FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Параметры процесса изготовления NMOS Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Параметром процесса изготовления является процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при котором на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой. Проверьте FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Параметр процесса изготовления?N_P - Концентрация легирования субстрата P?C_ox - Оксид Емкость?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?

Пример Параметры процесса изготовления NMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Параметры процесса изготовления NMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Параметры процесса изготовления NMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Параметры процесса изготовления NMOS выглядит как.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Параметры процесса изготовления NMOS

Параметры процесса изготовления NMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Параметры процесса изготовления NMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Следующий шаг Оценивать

∴

γ = 204.204864690003

Последний шаг Округление ответа

∴

γ = 204.2049

Параметры процесса изготовления NMOS Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Параметр процесса изготовления

Символ: γ

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр процесса изготовления

Концентрация легирования субстрата P

Концентрация легирования подложки P представляет собой количество примесей, добавленных к подложке. Это общая концентрация акцепторных ионов.

Символ: N_P

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Концентрация легирования субстрата P

Оксид Емкость

Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

Символ: C_ox

Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Оксид Емкость

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Диэлектрическая проницаемость вакуума

Диэлектрическая проницаемость вакуума — это фундаментальная физическая константа, которая описывает способность вакуума обеспечивать передачу линий электрического поля.

Символ: [Permitivity-vacuum]

Ценить: 8.85E-12 F/m

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Идти Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

v d = μ n \cdot E L

Идти NMOS как линейное сопротивление

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Идти Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Идти Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Узнать больше OpenImg

Как оценить Параметры процесса изготовления NMOS?

Оценщик Параметры процесса изготовления NMOS использует Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация легирования субстрата P*[Permitivity-vacuum])/Оксид Емкость для оценки Параметр процесса изготовления, Параметр процесса изготовления NMOS - это процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при которой на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой. Параметр процесса изготовления обозначается символом γ.

Как оценить Параметры процесса изготовления NMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Параметры процесса изготовления NMOS, введите Концентрация легирования субстрата P (N_P) & Оксид Емкость (C_ox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Параметры процесса изготовления NMOS

По какой формуле можно найти Параметры процесса изготовления NMOS?

Формула Параметры процесса изготовления NMOS выражается как Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация легирования субстрата P*[Permitivity-vacuum])/Оксид Емкость. Вот пример: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Как рассчитать Параметры процесса изготовления NMOS?

С помощью Концентрация легирования субстрата P (N_P) & Оксид Емкость (C_ox) мы можем найти Параметры процесса изготовления NMOS, используя формулу - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация легирования субстрата P*[Permitivity-vacuum])/Оксид Емкость. В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость вакуума, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Параметры процесса изготовления NMOS Формула

Пример Параметры процесса изготовления NMOS

Параметры процесса изготовления NMOS Решение

Параметры процесса изготовления NMOS Формула Элементы

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Как оценить Параметры процесса изготовления NMOS?

FAQs на Параметры процесса изготовления NMOS

Variable Name