FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Параметр крутизны процесса PMOS Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора. Проверьте FAQs

k' p = μ p \cdot C ox

k'_p - Параметр крутизны процесса в PMOS?μ_p - Подвижность отверстий в канале?C_ox - Оксид Емкость?

Пример Параметр крутизны процесса PMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса PMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса PMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса PMOS выглядит как.

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

2.128mS = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Параметр крутизны процесса PMOS

Параметр крутизны процесса PMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Параметр крутизны процесса PMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

k' p = μ p \cdot C ox

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

k' p = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

k' p = 2.66 \cdot 0.0008

Следующий шаг Оценивать

∴

k' p = 0.002128S

Последний шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

k' p = 2.128mS

Параметр крутизны процесса PMOS Формула Элементы

Переменные

Параметр крутизны процесса в PMOS

Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.

Символ: k'_p

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны процесса в PMOS

Подвижность отверстий в канале

Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,

Символ: μ_p

Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Подвижность отверстий в канале

Оксид Емкость

Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

Символ: C_ox

Измерение: ЕмкостьЕдиница: F

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Оксид Емкость

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Идти Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Идти Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Параметр крутизны процесса PMOS?

Оценщик Параметр крутизны процесса PMOS использует Process Transconductance Parameter in PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость для оценки Параметр крутизны процесса в PMOS, Параметр крутизны процесса PMOS является произведением подвижности дырок в канале и емкости оксида. Параметр крутизны процесса в PMOS обозначается символом k'_p.

Как оценить Параметр крутизны процесса PMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Параметр крутизны процесса PMOS, введите Подвижность отверстий в канале (μ_p) & Оксид Емкость (C_ox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Параметр крутизны процесса PMOS

По какой формуле можно найти Параметр крутизны процесса PMOS?

Формула Параметр крутизны процесса PMOS выражается как Process Transconductance Parameter in PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость. Вот пример: 2128 = 2.66*0.0008.

Как рассчитать Параметр крутизны процесса PMOS?

С помощью Подвижность отверстий в канале (μ_p) & Оксид Емкость (C_ox) мы можем найти Параметр крутизны процесса PMOS, используя формулу - Process Transconductance Parameter in PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость.

Может ли Параметр крутизны процесса PMOS быть отрицательным?

Да, Параметр крутизны процесса PMOS, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Параметр крутизны процесса PMOS?

Параметр крутизны процесса PMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Параметр крутизны процесса PMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Параметр крутизны процесса PMOS Формула

Пример Параметр крутизны процесса PMOS

Параметр крутизны процесса PMOS Решение

Параметр крутизны процесса PMOS Формула Элементы

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Как оценить Параметр крутизны процесса PMOS?

FAQs на Параметр крутизны процесса PMOS

Variable Name