FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Параметр крутизны процесса MOSFET Формула

ИдтиПараметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током. Проверьте FAQs

k n = \frac{g m}{V ov}

k_n - Параметр крутизны?g_m - крутизна?V_ov - Повышенное напряжение?

Пример Параметр крутизны процесса MOSFET

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса MOSFET выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса MOSFET выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Параметр крутизны процесса MOSFET выглядит как.

0.0016 = \frac{0.5}{0.32}

0.0016A/V² = \frac{0.5mS}{0.32V}

0.0016 = \frac{0.5}{0.32}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Параметр крутизны процесса MOSFET

Параметр крутизны процесса MOSFET Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Параметр крутизны процесса MOSFET?

Первый шаг Рассмотрим формулу

k n = \frac{g m}{V ov}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

k n = \frac{0.5mS}{0.32V}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

k n = \frac{0.0005S}{0.32V}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

k n = \frac{0.0005}{0.32}

Следующий шаг Оценивать

∴

k n = 0.0015625A/V²

Последний шаг Округление ответа

∴

k n = 0.0016A/V²

Параметр крутизны процесса MOSFET Формула Элементы

Переменные

Параметр крутизны

Символ: k_n

Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны

крутизна

Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.

Символ: g_m

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска крутизна

Повышенное напряжение

Напряжение перегрузки — это термин, используемый в электронике и относящийся к уровню напряжения, приложенному к устройству или компоненту, который превышает его нормальное рабочее напряжение.

Символ: V_ov

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Повышенное напряжение

Другие формулы для поиска Параметр крутизны

Идти Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

k n = k' n \cdot WL

Другие формулы в категории крутизна

Идти Ток стока с использованием крутизны

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Идти Крутизна тока стока

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Идти Крутизна заданного параметра крутизны процесса

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Идти Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Узнать больше OpenImg

Как оценить Параметр крутизны процесса MOSFET?

Оценщик Параметр крутизны процесса MOSFET использует Transconductance Parameter = крутизна/Повышенное напряжение для оценки Параметр крутизны, Параметр крутизны процесса полевого МОП-транзистора является произведением подвижности электронов в канале и емкости оксида. Параметр крутизны обозначается символом k_n.

Как оценить Параметр крутизны процесса MOSFET с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Параметр крутизны процесса MOSFET, введите крутизна (g_m) & Повышенное напряжение (V_ov) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Параметр крутизны процесса MOSFET

По какой формуле можно найти Параметр крутизны процесса MOSFET?

Формула Параметр крутизны процесса MOSFET выражается как Transconductance Parameter = крутизна/Повышенное напряжение. Вот пример: 0.001562 = 0.0005/0.32.

Как рассчитать Параметр крутизны процесса MOSFET?

С помощью крутизна (g_m) & Повышенное напряжение (V_ov) мы можем найти Параметр крутизны процесса MOSFET, используя формулу - Transconductance Parameter = крутизна/Повышенное напряжение.

Какие еще способы расчета Параметр крутизны?

Вот различные способы расчета Параметр крутизны-

Transconductance Parameter=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio

Может ли Параметр крутизны процесса MOSFET быть отрицательным?

Да, Параметр крутизны процесса MOSFET, измеренная в Параметр крутизны может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Параметр крутизны процесса MOSFET?

Параметр крутизны процесса MOSFET обычно измеряется с использованием Ампер на квадратный вольт[A/V²] для Параметр крутизны. Миллиампер на квадратный вольт[A/V²], Микроампер на квадратный вольт[A/V²] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Параметр крутизны процесса MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица