FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Стадия падения напряжения (IGBT) — это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал. Проверьте FAQs

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

V_ON(igbt) - Падение напряжения на этапе включения (IGBT)?i_f(igbt) - Прямой ток (IGBT)?R_ch(igbt) - Сопротивление N-канала (IGBT)?R_d(igbt) - Дрейфовое сопротивление (IGBT)?V_j1(igbt) - Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)?

Пример Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии выглядит как.

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

20.2533V = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электрические » Category

Силовая электроника » fx Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

Первый шаг Рассмотрим формулу

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

V ON(igbt) = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

V ON(igbt) = 0.0017A \cdot 10590Ω + 0.0017A \cdot 980Ω + 0.7V

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

V ON(igbt) = 0.0017 \cdot 10590 + 0.0017 \cdot 980 + 0.7

Последний шаг Оценивать

∴

V ON(igbt) = 20.2533V

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Формула Элементы

Переменные

Падение напряжения на этапе включения (IGBT)

Стадия падения напряжения (IGBT) — это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал.

Символ: V_ON(igbt)

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Падение напряжения на этапе включения (IGBT)

Прямой ток (IGBT)

Прямой ток (IGBT) — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.

Символ: i_f(igbt)

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Прямой ток (IGBT)

Сопротивление N-канала (IGBT)

Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.

Символ: R_ch(igbt)

Измерение: Электрическое сопротивлениеЕдиница: kΩ

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Сопротивление N-канала (IGBT)

Дрейфовое сопротивление (IGBT)

Дрейфовое сопротивление (IGBT) — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы.

Символ: R_d(igbt)

Измерение: Электрическое сопротивлениеЕдиница: kΩ

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Дрейфовое сопротивление (IGBT)

Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход.

Символ: V_j1(igbt)

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

Другие формулы в категории БТИЗ

Идти Время выключения IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Идти Ток эмиттера IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Идти Входная емкость IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Идти Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

i f(igbt) = \frac{- V ce(igbt) + \sqrt{{(V ce(igbt))}^{2} + 4 \cdot R ce(igbt) \cdot (\frac{T jmax(igbt) - T c(igbt)}{R th(jc)(igbt)})}}{2 \cdot R ce(igbt)}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

Оценщик Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии использует Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) для оценки Падение напряжения на этапе включения (IGBT), Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии вызвано сопротивлением полупроводникового материала в устройстве, а также сопротивлением соединительных проводов и других внутренних соединений. Падение напряжения в открытом состоянии IGBT можно уменьшить, используя более крупное устройство с меньшим сопротивлением в открытом состоянии. Другой способ уменьшить падение напряжения – уменьшить ток, протекающий через устройство. Падение напряжения на этапе включения (IGBT) обозначается символом V_ON(igbt).

Как оценить Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии, введите Прямой ток (IGBT) (i_f(igbt)), Сопротивление N-канала (IGBT) (R_ch(igbt)), Дрейфовое сопротивление (IGBT) (R_d(igbt)) & Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

По какой формуле можно найти Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

Формула Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии выражается как Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT). Вот пример: 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.

Как рассчитать Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

С помощью Прямой ток (IGBT) (i_f(igbt)), Сопротивление N-канала (IGBT) (R_ch(igbt)), Дрейфовое сопротивление (IGBT) (R_d(igbt)) & Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) мы можем найти Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии, используя формулу - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT).

Может ли Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии быть отрицательным?

Нет, Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Формула

Пример Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Решение

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Формула Элементы

Другие формулы в категории БТИЗ

Как оценить Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии?

FAQs на Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Variable Name