Fx Копировать
LaTeX Копировать
Обратный ток насыщения возникает в результате диффузии неосновных носителей заряда из нейтральных областей в обедненную область полупроводникового диода. Проверьте FAQs
Io=(Isc-(PV))(1e[Charge-e]V[BoltZ]T-1)
Io - Обратный ток насыщения?Isc - Ток короткого замыкания в солнечной батарее?P - Мощность фотоэлектрического элемента?V - Напряжение в солнечной батарее?T - Температура в градусах Кельвина?[Charge-e] - Заряд электрона?[BoltZ] - постоянная Больцмана?

Пример Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента выглядит как.

0.0481Edit=(80Edit-(9.62Edit0.15Edit))(1e1.6E-190.15Edit1.4E-23300Edit-1)
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category физика » Category Механический » Category Системы солнечной энергии » fx Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента

Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Io=(Isc-(PV))(1e[Charge-e]V[BoltZ]T-1)
Следующий шаг Заменить значения переменных
Io=(80A-(9.62W0.15V))(1e[Charge-e]0.15V[BoltZ]300K-1)
Следующий шаг Замещающие значения констант
Io=(80A-(9.62W0.15V))(1e1.6E-19C0.15V1.4E-23J/K300K-1)
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
Io=(80-(9.620.15))(1e1.6E-190.151.4E-23300-1)
Следующий шаг Оценивать
Io=0.0480739289702614A
Последний шаг Округление ответа
Io=0.0481A

Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента Формула Элементы

Переменные
Константы
Обратный ток насыщения
Обратный ток насыщения возникает в результате диффузии неосновных носителей заряда из нейтральных областей в обедненную область полупроводникового диода.
Символ: Io
Измерение: Электрический токЕдиница: A
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Ток короткого замыкания в солнечной батарее
Ток короткого замыкания в солнечном элементе — это ток, протекающий через солнечный элемент, когда напряжение на нем равно нулю.
Символ: Isc
Измерение: Электрический токЕдиница: A
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Мощность фотоэлектрического элемента
Мощность фотоэлектрического элемента определяется как скорость передачи электрической энергии электрической цепью за единицу времени, в данном случае — солнечного элемента.
Символ: P
Измерение: СилаЕдиница: W
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Напряжение в солнечной батарее
Напряжение в солнечном элементе — это разность электрических потенциалов между любыми двумя точками цепи.
Символ: V
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Температура в градусах Кельвина
Температура в градусах Кельвина — это температура (степень или интенсивность тепла, присутствующего в веществе или объекте) тела или вещества, измеренная в градусах Кельвина.
Символ: T
Измерение: ТемператураЕдиница: K
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Заряд электрона
Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.
Символ: [Charge-e]
Ценить: 1.60217662E-19 C
постоянная Больцмана
Постоянная Больцмана связывает среднюю кинетическую энергию частиц в газе с температурой газа и является фундаментальной константой в статистической механике и термодинамике.
Символ: [BoltZ]
Ценить: 1.38064852E-23 J/K

Другие формулы для поиска Обратный ток насыщения

​Идти Обратный ток насыщения с учетом тока нагрузки и тока короткого замыкания
Io=Isc-Ie[Charge-e]Vm[BoltZ]T-1
​Идти Обратный ток насыщения при максимальной мощности элемента
Io=Pm(1+[Charge-e]Vm[BoltZ]T[Charge-e]Vm2[BoltZ]T)-Isc
​Идти Обратный ток насыщения при заданном токе нагрузки при максимальной мощности
Io=(Imax(1+[Charge-e]Vm[BoltZ]T[Charge-e]Vm[BoltZ]T))-Isc

Другие формулы в категории Фотогальваническое преобразование

​Идти Коэффициент заполнения ячейки
FF=ImVmIscVoc
​Идти Заданное напряжение Коэффициент заполнения ячейки
Vm=FFIscVocIm
​Идти Ток короткого замыкания с учетом коэффициента заполнения ячейки
Isc=ImVmVocFF
​Идти Ток нагрузки в солнечной батарее
I=Isc-(Io(e[Charge-e]Vm[BoltZ]T-1))

Как оценить Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента?

Оценщик Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента использует Reverse Saturation Current = (Ток короткого замыкания в солнечной батарее-(Мощность фотоэлектрического элемента/Напряжение в солнечной батарее))*(1/(e^(([Charge-e]*Напряжение в солнечной батарее)/([BoltZ]*Температура в градусах Кельвина))-1)) для оценки Обратный ток насыщения, Формула обратного тока насыщения, заданная мощностью фотоэлектрического элемента, определяется как мера тока, протекающего через фотоэлектрический элемент, когда он не вырабатывает электроэнергию, что является важным параметром для понимания поведения фотоэлектрических элементов и их преобразования солнечного света в электрическую энергию. Обратный ток насыщения обозначается символом Io.

Как оценить Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента, введите Ток короткого замыкания в солнечной батарее (Isc), Мощность фотоэлектрического элемента (P), Напряжение в солнечной батарее (V) & Температура в градусах Кельвина (T) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента

По какой формуле можно найти Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента?
Формула Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента выражается как Reverse Saturation Current = (Ток короткого замыкания в солнечной батарее-(Мощность фотоэлектрического элемента/Напряжение в солнечной батарее))*(1/(e^(([Charge-e]*Напряжение в солнечной батарее)/([BoltZ]*Температура в градусах Кельвина))-1)). Вот пример: 0.000202 = (80-(9.62/0.15))*(1/(e^(([Charge-e]*0.15)/([BoltZ]*300))-1)).
Как рассчитать Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента?
С помощью Ток короткого замыкания в солнечной батарее (Isc), Мощность фотоэлектрического элемента (P), Напряжение в солнечной батарее (V) & Температура в градусах Кельвина (T) мы можем найти Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента, используя формулу - Reverse Saturation Current = (Ток короткого замыкания в солнечной батарее-(Мощность фотоэлектрического элемента/Напряжение в солнечной батарее))*(1/(e^(([Charge-e]*Напряжение в солнечной батарее)/([BoltZ]*Температура в градусах Кельвина))-1)). В этой формуле также используется Заряд электрона, постоянная Больцмана .
Какие еще способы расчета Обратный ток насыщения?
Вот различные способы расчета Обратный ток насыщения-
  • Reverse Saturation Current=(Short Circuit Current in Solar cell-Load Current in Solar cell)/(e^(([Charge-e]*Voltage in Solar cell)/(Ideality Factor in Solar Cells*[BoltZ]*Temperature in Kelvin))-1)OpenImg
  • Reverse Saturation Current=Maximum Power Output of Cell*((1+([Charge-e]*Voltage at Maximum Power)/([BoltZ]*Temperature in Kelvin))/(([Charge-e]*Voltage at Maximum Power^2)/([BoltZ]*Temperature in Kelvin)))-Short Circuit Current in Solar cellOpenImg
  • Reverse Saturation Current=(Maximum Current Flow*((1+([Charge-e]*Voltage at Maximum Power)/([BoltZ]*Temperature in Kelvin))/(([Charge-e]*Voltage at Maximum Power)/([BoltZ]*Temperature in Kelvin))))-Short Circuit Current in Solar cellOpenImg
.
Может ли Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента быть отрицательным?
Нет, Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента?
Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента обычно измеряется с использованием Ампер[A] для Электрический ток. Миллиампер[A], микроампер[A], сантиампер[A] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Обратный ток насыщения при заданной мощности фотоэлектрического элемента.
Copied!