Напряжение пробоя базы коллектора в Интегральные схемы (ИС) Формулы

Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора. И обозначается V_cb. Напряжение пробоя базы коллектора обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение пробоя базы коллектора всегда равно позитивный.

Формулы Интегральные схемы (ИС), в которых используется Напряжение пробоя базы коллектора

fxНапряжение пробоя коллектора-эмиттераИдти

FAQ

Что такое Напряжение пробоя базы коллектора?

Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора. Напряжение пробоя базы коллектора обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение пробоя базы коллектора всегда равно позитивный.

Может ли Напряжение пробоя базы коллектора быть отрицательным?

Нет, Напряжение пробоя базы коллектора, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение пробоя базы коллектора?

Напряжение пробоя базы коллектора обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение пробоя базы коллектора.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!