FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Напряжение насыщения MOSFET Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Напряжение насыщения стока и истока — это напряжение, при котором полевой транзистор больше не может работать в качестве усилителя, а его выходное напряжение фиксируется на максимальном значении. Проверьте FAQs

V ds(s) = V gs - V th

V_ds(s) - Напряжение насыщения стока и истока?V_gs - Напряжение затвор-исток?V_th - Пороговое напряжение?

Пример Напряжение насыщения MOSFET

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Напряжение насыщения MOSFET выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Напряжение насыщения MOSFET выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Напряжение насыщения MOSFET выглядит как.

1.7 = 4 - 2.3

1.7V = 4V - 2.3V

1.7 = 4 - 2.3

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Напряжение насыщения MOSFET

Напряжение насыщения MOSFET Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Напряжение насыщения MOSFET?

Первый шаг Рассмотрим формулу

V ds(s) = V gs - V th

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

V ds(s) = 4V - 2.3V

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

V ds(s) = 4 - 2.3

Последний шаг Оценивать

∴

V ds(s) = 1.7V

Напряжение насыщения MOSFET Формула Элементы

Переменные

Напряжение насыщения стока и истока

Символ: V_ds(s)

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение насыщения стока и истока

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

Символ: V_gs

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_th

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Другие формулы в категории Напряжение

Идти Максимальное усиление напряжения в точке смещения

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

Идти Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

Идти Усиление напряжения при заданном напряжении стока

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

Идти Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Напряжение насыщения MOSFET?

Оценщик Напряжение насыщения MOSFET использует Drain and Source Saturation Voltage = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение для оценки Напряжение насыщения стока и истока, Напряжение насыщения MOSFET равно эффективному напряжению или напряжению перегрузки MOSFET. Он также равен разнице напряжения на оксиде и порогового напряжения. Напряжение насыщения стока и истока обозначается символом V_ds(s).

Как оценить Напряжение насыщения MOSFET с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Напряжение насыщения MOSFET, введите Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Напряжение насыщения MOSFET

По какой формуле можно найти Напряжение насыщения MOSFET?

Формула Напряжение насыщения MOSFET выражается как Drain and Source Saturation Voltage = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение. Вот пример: 1.7 = 4-2.3.

Как рассчитать Напряжение насыщения MOSFET?

С помощью Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) мы можем найти Напряжение насыщения MOSFET, используя формулу - Drain and Source Saturation Voltage = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение.

Может ли Напряжение насыщения MOSFET быть отрицательным?

Нет, Напряжение насыщения MOSFET, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение насыщения MOSFET?

Напряжение насыщения MOSFET обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение насыщения MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Напряжение насыщения MOSFET Формула

Пример Напряжение насыщения MOSFET

Напряжение насыщения MOSFET Решение

Напряжение насыщения MOSFET Формула Элементы

Другие формулы в категории Напряжение

Как оценить Напряжение насыщения MOSFET?

FAQs на Напряжение насыщения MOSFET

Variable Name