FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Формула

ИдтиНапряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки Формула

ИдтиНапряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства. Проверьте FAQs

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

V_gs - Напряжение затвор-исток?V_th - Пороговое напряжение?I_b - Ток смещения постоянного тока?k'_n - Параметр крутизны процесса?WL - Соотношение сторон?

Пример Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением выглядит как.

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

5.3628V = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

Первый шаг Рассмотрим формулу

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985A}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

V gs = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985}{2.1 \cdot 0.1}}

Следующий шаг Оценивать

∴

V gs = 5.36283404397829V

Последний шаг Округление ответа

∴

V gs = 5.3628V

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Формула Элементы

Переменные

Функции

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

Символ: V_gs

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_th

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Ток смещения постоянного тока

Постоянный ток смещения — это постоянный ток, протекающий через цепь или устройство для установления определенной рабочей точки или точки смещения.

Символ: I_b

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ток смещения постоянного тока

Параметр крутизны процесса

Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.

Символ: k'_n

Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны процесса

Соотношение сторон

Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

Символ: WL

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Соотношение сторон

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Идти Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

Идти Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Другие формулы в категории Напряжение

Идти Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Идти Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Идти Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Идти Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Узнать больше OpenImg

Как оценить Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

Оценщик Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением использует Gate-Source Voltage = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон)) для оценки Напряжение затвор-исток, Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с формулой дифференциального входного напряжения определяется как напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора. Это означает, что, подключив свои клеммы к цепи, они обычно проводят ток через сток к истоку без подачи напряжения на базу. Напряжение затвор-исток обозначается символом V_gs.

Как оценить Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением, введите Пороговое напряжение (V_th), Ток смещения постоянного тока (I_b), Параметр крутизны процесса (k'_n) & Соотношение сторон (WL) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

По какой формуле можно найти Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

Формула Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением выражается как Gate-Source Voltage = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон)). Вот пример: 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).

Как рассчитать Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

С помощью Пороговое напряжение (V_th), Ток смещения постоянного тока (I_b), Параметр крутизны процесса (k'_n) & Соотношение сторон (WL) мы можем найти Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением, используя формулу - Gate-Source Voltage = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон)). В этой формуле также используются функции Квадратный корень (sqrt).

Какие еще способы расчета Напряжение затвор-исток?

Вот различные способы расчета Напряжение затвор-исток-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

Может ли Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением быть отрицательным?

Нет, Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Формула

​ИдтиНапряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки Формула

​ИдтиНапряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе Формула

Пример Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Решение

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением Формула Элементы

Другие формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Другие формулы в категории Напряжение

Как оценить Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением?

FAQs на Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Variable Name

ИдтиНапряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки Формула

ИдтиНапряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе Формула