Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) в Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы

Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход. И обозначается V_j1(igbt). Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) всегда равно позитивный.

Формулы Усовершенствованные транзисторные устройства, в которых используется Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

fxПадение напряжения в IGBT во включенном состоянииИдти

FAQ

Что такое Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)?

Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход. Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) всегда равно позитивный.

Может ли Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) быть отрицательным?

Нет, Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT), измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)?

Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!