Максимальная концентрация легирующей примеси Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Максимальная концентрация легирующей примеси описывает, как концентрация атомов примеси в полупроводниковом материале экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. Проверьте FAQs
Cs=Coexp(-Es[BoltZ]Ta)
Cs - Максимальная концентрация легирующей примеси?Co - Эталонная концентрация?Es - Энергия активации твердой растворимости?Ta - Абсолютная температура?[BoltZ] - постоянная Больцмана?

Пример Максимальная концентрация легирующей примеси

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Максимальная концентрация легирующей примеси выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Максимальная концентрация легирующей примеси выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Максимальная концентрация легирующей примеси выглядит как.

4.9E-9Edit=0.005Editexp(-1E-23Edit1.4E-2324.5Edit)
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Интегральные схемы (ИС) » fx Максимальная концентрация легирующей примеси

Максимальная концентрация легирующей примеси Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Максимальная концентрация легирующей примеси?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Cs=Coexp(-Es[BoltZ]Ta)
Следующий шаг Заменить значения переменных
Cs=0.005exp(-1E-23J[BoltZ]24.5K)
Следующий шаг Замещающие значения констант
Cs=0.005exp(-1E-23J1.4E-23J/K24.5K)
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
Cs=0.005exp(-1E-231.4E-2324.5)
Следующий шаг Оценивать
Cs=0.00485434780101741electrons/m³
Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода
Cs=4.85434780101741E-09electrons/cm³
Последний шаг Округление ответа
Cs=4.9E-9electrons/cm³

Максимальная концентрация легирующей примеси Формула Элементы

Переменные
Константы
Функции
Максимальная концентрация легирующей примеси
Максимальная концентрация легирующей примеси описывает, как концентрация атомов примеси в полупроводниковом материале экспоненциально уменьшается с увеличением температуры.
Символ: Cs
Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Эталонная концентрация
Эталонная концентрация относится к константе, которая служит эталонной или базовой концентрацией.
Символ: Co
Измерение: NAЕдиница: Unitless
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Энергия активации твердой растворимости
Энергия активации растворимости в твердом теле — параметр, характеризующий энергетический барьер внедрения атомов примеси в кристаллическую решетку полупроводникового материала.
Символ: Es
Измерение: ЭнергияЕдиница: J
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Абсолютная температура
Абсолютная температура является мерой тепловой энергии в системе и измеряется в кельвинах.
Символ: Ta
Измерение: ТемператураЕдиница: K
Примечание: Значение должно быть больше 0.
постоянная Больцмана
Постоянная Больцмана связывает среднюю кинетическую энергию частиц в газе с температурой газа и является фундаментальной константой в статистической механике и термодинамике.
Символ: [BoltZ]
Ценить: 1.38064852E-23 J/K
exp
В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной.
Синтаксис: exp(Number)

Другие формулы в категории Изготовление МОП-ИС

​Идти Эффект тела в MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​Идти Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления
ft=gmCgs+Cgd
​Идти Ток стока MOSFET в области насыщения
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​Идти Сопротивление канала
Rch=LtWt1μnQon

Как оценить Максимальная концентрация легирующей примеси?

Оценщик Максимальная концентрация легирующей примеси использует Maximum Dopant Concentration = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура)) для оценки Максимальная концентрация легирующей примеси, Максимальная концентрация легирующей примеси относится к максимально достижимой концентрации атомов примеси, которая может быть введена в полупроводниковый материал во время процесса легирования. Легирование — обычная практика в производстве полупроводников, когда атомы примесей, называемые легирующими добавками, намеренно добавляются для изменения электрических свойств материала. Максимальная концентрация легирующей примеси обозначается символом Cs.

Как оценить Максимальная концентрация легирующей примеси с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Максимальная концентрация легирующей примеси, введите Эталонная концентрация (Co), Энергия активации твердой растворимости (Es) & Абсолютная температура (Ta) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Максимальная концентрация легирующей примеси

По какой формуле можно найти Максимальная концентрация легирующей примеси?
Формула Максимальная концентрация легирующей примеси выражается как Maximum Dopant Concentration = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура)). Вот пример: 0.004854 = 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5)).
Как рассчитать Максимальная концентрация легирующей примеси?
С помощью Эталонная концентрация (Co), Энергия активации твердой растворимости (Es) & Абсолютная температура (Ta) мы можем найти Максимальная концентрация легирующей примеси, используя формулу - Maximum Dopant Concentration = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура)). В этой формуле также используются функции постоянная Больцмана, и Функция экспоненциального роста.
Может ли Максимальная концентрация легирующей примеси быть отрицательным?
Да, Максимальная концентрация легирующей примеси, измеренная в Электронная плотность может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Максимальная концентрация легирующей примеси?
Максимальная концентрация легирующей примеси обычно измеряется с использованием Электронов на кубический сантиметр[electrons/cm³] для Электронная плотность. Электронов на кубический метр[electrons/cm³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Максимальная концентрация легирующей примеси.
Copied!