FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Максимальная глубина истощения Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Максимальная глубина обеднения относится к максимальной степени, до которой область обеднения распространяется на полупроводниковый материал устройства при определенных условиях эксплуатации. Проверьте FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Максимальная глубина истощения?Φ_f - Объемный потенциал Ферми?N_A - Легирующая концентрация акцептора?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Максимальная глубина истощения

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Максимальная глубина истощения выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Максимальная глубина истощения выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Максимальная глубина истощения выглядит как.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Максимальная глубина истощения

Максимальная глубина истощения Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Максимальная глубина истощения?

Первый шаг Рассмотрим формулу

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Следующий шаг Оценивать

∴

x dm = 7437907.45302539m

Последний шаг Округление ответа

∴

x dm = 7.4E+6m

Максимальная глубина истощения Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Максимальная глубина истощения

Символ: x_dm

Измерение: ДлинаЕдиница: m

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Максимальная глубина истощения

Объемный потенциал Ферми

Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.

Символ: Φ_f

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Объемный потенциал Ферми

Легирующая концентрация акцептора

Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

Символ: N_A

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Легирующая концентрация акцептора

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

modulus

Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число.

Синтаксис: modulus

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Идти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

C jsw = C j0sw \cdot x j

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Идти Потенциал Ферми для типа P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Узнать больше OpenImg

Как оценить Максимальная глубина истощения?

Оценщик Максимальная глубина истощения использует Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)) для оценки Максимальная глубина истощения, Формула максимальной глубины истощения определяется как максимальная степень, до которой область истощения распространяется на полупроводниковый материал устройства при определенных условиях эксплуатации. Максимальная глубина истощения обозначается символом x_dm.

Как оценить Максимальная глубина истощения с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Максимальная глубина истощения, введите Объемный потенциал Ферми (Φ_f) & Легирующая концентрация акцептора (N_A) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Максимальная глубина истощения

По какой формуле можно найти Максимальная глубина истощения?

Формула Максимальная глубина истощения выражается как Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)). Вот пример: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Как рассчитать Максимальная глубина истощения?

С помощью Объемный потенциал Ферми (Φ_f) & Легирующая концентрация акцептора (N_A) мы можем найти Максимальная глубина истощения, используя формулу - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Заряд электрона, константа(ы) и , Квадратный корень (sqrt), Модуль (модуль).

Может ли Максимальная глубина истощения быть отрицательным?

Нет, Максимальная глубина истощения, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Максимальная глубина истощения?

Максимальная глубина истощения обычно измеряется с использованием Метр[m] для Длина. Миллиметр[m], километр[m], Дециметр[m] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Максимальная глубина истощения.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Максимальная глубина истощения Формула

Пример Максимальная глубина истощения

Максимальная глубина истощения Решение

Максимальная глубина истощения Формула Элементы

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Как оценить Максимальная глубина истощения?

FAQs на Максимальная глубина истощения

Variable Name