Крутизна транзистора MESFET в Микроволновые полупроводниковые приборы Формулы

Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток. И обозначается G_m. Крутизна транзистора MESFET обычно измеряется с использованием Сименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Крутизна транзистора MESFET всегда равно позитивный.

Формулы для поиска Крутизна транзистора MESFET в Микроволновые полупроводниковые приборы

fxКрутизна в области насыщения в MESFETИдти

Формулы Микроволновые полупроводниковые приборы, в которых используется Крутизна транзистора MESFET

fxЧастота среза MESFETИдти

fxКоэффициент шума GaAs MESFETИдти

Список переменных в формулах Микроволновые полупроводниковые приборы

fx Выходная проводимость Идти

fx Входное напряжение Идти

fx Пороговое напряжение Идти

fx Напряжение отсечки Идти

FAQ

Что такое Крутизна транзистора MESFET?

Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток. Крутизна транзистора MESFET обычно измеряется с использованием Сименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Крутизна транзистора MESFET всегда равно позитивный.

Может ли Крутизна транзистора MESFET быть отрицательным?

Нет, Крутизна транзистора MESFET, измеренная в Электрическая проводимость не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Крутизна транзистора MESFET?

Крутизна транзистора MESFET обычно измеряется с использованием Сименс[S] для Электрическая проводимость. Мегасименс[S], Миллисименс[S], сименс[S] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна транзистора MESFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!