FormulaDen.com
физика
Химия
математика
Химическая инженерия
Гражданская
Электрические
Электроника
Электроника и приборы
Материаловедение
Механический
Технология производства
финансовый
Здоровье
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Аналоговая электроника
Коэффициент смещения подложки в МОП-транзистор Формулы
Коэффициент смещения подложки — это параметр, используемый при моделировании полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET). И обозначается γ
s
.
Формулы для поиска Коэффициент смещения подложки в МОП-транзистор
f
x
Коэффициент смещения подложки
Идти
Список переменных в формулах МОП-транзистор
f
x
Легирующая концентрация акцептора
Идти
f
x
Оксидная емкость
Идти
FAQ
Что такое Коэффициент смещения подложки?
Коэффициент смещения подложки — это параметр, используемый при моделировании полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET).
Может ли Коэффициент смещения подложки быть отрицательным?
{YesorNo}, Коэффициент смещения подложки, измеренная в {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot}, будет отрицательной.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!