Концентрация дырок в валентной зоне относится к количеству или обилию дырок, присутствующих в валентной зоне полупроводникового материала. И обозначается p0. Концентрация отверстий в полосе обшивки обычно измеряется с использованием 1 на кубический метр для Концентрация носителя. Обратите внимание, что значение Концентрация отверстий в полосе обшивки всегда равно позитивный.