FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Концентрация акцепторной примеси Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Концентрация акцепторной примеси — это подвижность носителей заряда (в данном случае дырок) и размеры полупроводникового устройства. Проверьте FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Концентрация акцепторной примеси?L_t - Длина транзистора?W_t - Ширина транзистора?μ_p - Мобильность отверстий?C_dep - Емкость слоя обеднения?[Charge-e] - Заряд электрона?π - постоянная Архимеда?

Пример Концентрация акцепторной примеси

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Концентрация акцепторной примеси выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Концентрация акцепторной примеси выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Концентрация акцепторной примеси выглядит как.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Интегральные схемы (ИС) » fx Концентрация акцепторной примеси

Концентрация акцепторной примеси Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Концентрация акцепторной примеси?

Первый шаг Рассмотрим формулу

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

Следующий шаг Оценивать

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Последний шаг Округление ответа

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Концентрация акцепторной примеси Формула Элементы

Переменные

Константы

Концентрация акцепторной примеси

Концентрация акцепторной примеси — это подвижность носителей заряда (в данном случае дырок) и размеры полупроводникового устройства.

Символ: N_a

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/m³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцепторной примеси

Длина транзистора

Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.

Символ: L_t

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Длина транзистора

Ширина транзистора

Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.

Символ: W_t

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ширина транзистора

Мобильность отверстий

Подвижность дырок представляет собой способность этих носителей заряда перемещаться в ответ на электрическое поле.

Символ: μ_p

Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Мобильность отверстий

Емкость слоя обеднения

Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.

Символ: C_dep

Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Емкость слоя обеднения

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

постоянная Архимеда

Постоянная Архимеда — это математическая константа, которая представляет собой отношение длины окружности к ее диаметру.

Символ: π

Ценить: 3.14159265358979323846264338327950288

Другие формулы в категории Изготовление МОП-ИС

Идти Эффект тела в MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Идти Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Идти Ток стока MOSFET в области насыщения

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Идти Сопротивление канала

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Концентрация акцепторной примеси?

Оценщик Концентрация акцепторной примеси использует Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения) для оценки Концентрация акцепторной примеси, Формула концентрации акцепторной примеси определяется как концентрация атомов акцептора на единицу объема. Это относится к концентрации атомов легирующей примеси, намеренно добавленных в полупроводниковый материал для создания избытка положительно заряженных «дырок» в кристаллической решетке. Концентрация акцепторной примеси обозначается символом N_a.

Как оценить Концентрация акцепторной примеси с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Концентрация акцепторной примеси, введите Длина транзистора (L_t), Ширина транзистора (W_t), Мобильность отверстий (μ_p) & Емкость слоя обеднения (C_dep) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Концентрация акцепторной примеси

По какой формуле можно найти Концентрация акцепторной примеси?

Формула Концентрация акцепторной примеси выражается как Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения). Вот пример: 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

Как рассчитать Концентрация акцепторной примеси?

С помощью Длина транзистора (L_t), Ширина транзистора (W_t), Мобильность отверстий (μ_p) & Емкость слоя обеднения (C_dep) мы можем найти Концентрация акцепторной примеси, используя формулу - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения). В этой формуле также используется Заряд электрона, постоянная Архимеда .

Может ли Концентрация акцепторной примеси быть отрицательным?

Нет, Концентрация акцепторной примеси, измеренная в Электронная плотность не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Концентрация акцепторной примеси?

Концентрация акцепторной примеси обычно измеряется с использованием Электронов на кубический метр[electrons/m³] для Электронная плотность. Электронов на кубический сантиметр[electrons/m³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Концентрация акцепторной примеси.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Концентрация акцепторной примеси Формула

Пример Концентрация акцепторной примеси

Концентрация акцепторной примеси Решение

Концентрация акцепторной примеси Формула Элементы

Другие формулы в категории Изготовление МОП-ИС

Как оценить Концентрация акцепторной примеси?

FAQs на Концентрация акцепторной примеси

Variable Name