Зона базового соединения эмиттера в Интегральные схемы (ИС) Формулы

Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора. И обозначается A. Зона базового соединения эмиттера обычно измеряется с использованием Площадь Сантиметр для Область. Обратите внимание, что значение Зона базового соединения эмиттера всегда равно позитивный.

Формулы Интегральные схемы (ИС), в которых используется Зона базового соединения эмиттера

fxТок насыщения в транзистореИдти

fxАтомы примеси на единицу площадиИдти

fxКоллекторный ток PNP-транзистораИдти

FAQ

Что такое Зона базового соединения эмиттера?

Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора. Зона базового соединения эмиттера обычно измеряется с использованием Площадь Сантиметр для Область. Обратите внимание, что значение Зона базового соединения эмиттера всегда равно позитивный.

Может ли Зона базового соединения эмиттера быть отрицательным?

Нет, Зона базового соединения эмиттера, измеренная в Область не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Зона базового соединения эмиттера?

Зона базового соединения эмиттера обычно измеряется с использованием Площадь Сантиметр[cm²] для Область. Квадратный метр[cm²], квадратный километр[cm²], Площадь Миллиметр[cm²] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Зона базового соединения эмиттера.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!