Заложенный потенциал соединений боковых стенок в МОП-транзистор Формулы

Под встроенным потенциалом боковых переходов понимается переход, образованный вдоль вертикальных или боковых поверхностей транзисторной структуры. И обозначается Φ_osw. Заложенный потенциал соединений боковых стенок обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Заложенный потенциал соединений боковых стенок всегда равно позитивный.

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Заложенный потенциал соединений боковых стенок

fxКоэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенкеИдти

FAQ

Что такое Заложенный потенциал соединений боковых стенок?

Под встроенным потенциалом боковых переходов понимается переход, образованный вдоль вертикальных или боковых поверхностей транзисторной структуры. Заложенный потенциал соединений боковых стенок обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Заложенный потенциал соединений боковых стенок всегда равно позитивный.

Может ли Заложенный потенциал соединений боковых стенок быть отрицательным?

Нет, Заложенный потенциал соединений боковых стенок, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Заложенный потенциал соединений боковых стенок?

Заложенный потенциал соединений боковых стенок обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Заложенный потенциал соединений боковых стенок.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!