Емкость PN-перехода Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Емкость перехода относится к емкости, связанной с pn-переходом, образованным между двумя полупроводниковыми областями в полупроводниковом устройстве, таком как диод или транзистор. Проверьте FAQs
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Cj - Емкость перехода?Apn - Зона соединения PN?εr - Относительная диэлектрическая проницаемость?V0 - Напряжение на PN-переходе?V - Напряжение обратного смещения?NA - Концентрация акцептора?ND - Концентрация доноров?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Емкость PN-перехода

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как.

1.9E+6Edit=4.8Edit221.6E-1978Edit11.70.6Edit-(-4Edit)(1E+22Edit1E+24Edit1E+22Edit+1E+24Edit)
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Оптоэлектронные устройства » fx Емкость PN-перехода

Емкость PN-перехода Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Емкость PN-перехода?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Следующий шаг Заменить значения переменных
Cj=4.8µm²22[Charge-e]78F/m[Permitivity-silicon]0.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Следующий шаг Замещающие значения констант
Cj=4.8µm²221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Следующий шаг Конвертировать единицы
Cj=4.8E-12221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
Cj=4.8E-12221.6E-197811.70.6-(-4)(1E+221E+241E+22+1E+24)
Следующий шаг Оценивать
Cj=1.9040662888657E-09F
Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода
Cj=1904066.2888657fF
Последний шаг Округление ответа
Cj=1.9E+6fF

Емкость PN-перехода Формула Элементы

Переменные
Константы
Функции
Емкость перехода
Емкость перехода относится к емкости, связанной с pn-переходом, образованным между двумя полупроводниковыми областями в полупроводниковом устройстве, таком как диод или транзистор.
Символ: Cj
Измерение: ЕмкостьЕдиница: fF
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Зона соединения PN
Область PN-перехода — это граница или область раздела между двумя типами полупроводниковых материалов в pn-диоде.
Символ: Apn
Измерение: ОбластьЕдиница: µm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Относительная диэлектрическая проницаемость
Относительная диэлектрическая проницаемость — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.
Символ: εr
Измерение: Разрешающая способностьЕдиница: F/m
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Напряжение на PN-переходе
Напряжение на PN-переходе — это встроенный потенциал на pn-переходе полупроводника без какого-либо внешнего смещения.
Символ: V0
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно находиться в диапазоне от 0.3 до 0.8.
Напряжение обратного смещения
Обратное напряжение смещения — это отрицательное внешнее напряжение, приложенное к pn-переходу.
Символ: V
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть меньше 0.
Концентрация акцептора
Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Символ: NA
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Концентрация доноров
Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.
Символ: ND
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Заряд электрона
Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.
Символ: [Charge-e]
Ценить: 1.60217662E-19 C
Диэлектрическая проницаемость кремния
Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.
Символ: [Permitivity-silicon]
Ценить: 11.7
sqrt
Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.
Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Устройства с оптическими компонентами

​Идти Угол поворота плоскости поляризации
θ=1.8BLm
​Идти Угол при вершине
A=tan(α)

Как оценить Емкость PN-перехода?

Оценщик Емкость PN-перехода использует Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))) для оценки Емкость перехода, Формула емкости PN-перехода определяется как емкость, связанная с областью истощения pn-перехода из-за накопленных зарядов. Это заметно в условиях обратного смещения, поскольку это условие увеличивает потенциал барьера и, следовательно, емкость на нем. Емкость перехода обозначается символом Cj.

Как оценить Емкость PN-перехода с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Емкость PN-перехода, введите Зона соединения PN (Apn), Относительная диэлектрическая проницаемость r), Напряжение на PN-переходе (V0), Напряжение обратного смещения (V), Концентрация акцептора (NA) & Концентрация доноров (ND) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Емкость PN-перехода

По какой формуле можно найти Емкость PN-перехода?
Формула Емкость PN-перехода выражается как Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))). Вот пример: 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).
Как рассчитать Емкость PN-перехода?
С помощью Зона соединения PN (Apn), Относительная диэлектрическая проницаемость r), Напряжение на PN-переходе (V0), Напряжение обратного смещения (V), Концентрация акцептора (NA) & Концентрация доноров (ND) мы можем найти Емкость PN-перехода, используя формулу - Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))). В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость кремния, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).
Может ли Емкость PN-перехода быть отрицательным?
Нет, Емкость PN-перехода, измеренная в Емкость не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Емкость PN-перехода?
Емкость PN-перехода обычно измеряется с использованием фемтофарада[fF] для Емкость. фарада[fF], килофарад[fF], Миллифарад[fF] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Емкость PN-перехода.
Copied!