FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Емкость PN-перехода Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Емкость перехода относится к емкости, связанной с pn-переходом, образованным между двумя полупроводниковыми областями в полупроводниковом устройстве, таком как диод или транзистор. Проверьте FAQs

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

C_j - Емкость перехода?A_pn - Зона соединения PN?ε_r - Относительная диэлектрическая проницаемость?V₀ - Напряжение на PN-переходе?V - Напряжение обратного смещения?N_A - Концентрация акцептора?N_D - Концентрация доноров?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Емкость PN-перехода

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Емкость PN-перехода выглядит как.

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

1.9E+6fF = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Оптоэлектронные устройства » fx Емкость PN-перехода

Емкость PN-перехода Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Емкость PN-перехода?

Первый шаг Рассмотрим формулу

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot 78F/m \cdot [Permitivity-silicon]}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

C j = \frac{4.8E-12m²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

C j = \frac{4.8E-12}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

Следующий шаг Оценивать

∴

C j = 1.9040662888657E-09F

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

C j = 1904066.2888657fF

Последний шаг Округление ответа

∴

C j = 1.9E+6fF

Емкость PN-перехода Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Емкость перехода

Символ: C_j

Измерение: ЕмкостьЕдиница: fF

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Емкость перехода

Зона соединения PN

Область PN-перехода — это граница или область раздела между двумя типами полупроводниковых материалов в pn-диоде.

Символ: A_pn

Измерение: ОбластьЕдиница: µm²

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Зона соединения PN

Относительная диэлектрическая проницаемость

Относительная диэлектрическая проницаемость — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.

Символ: ε_r

Измерение: Разрешающая способностьЕдиница: F/m

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Относительная диэлектрическая проницаемость

Напряжение на PN-переходе

Напряжение на PN-переходе — это встроенный потенциал на pn-переходе полупроводника без какого-либо внешнего смещения.

Символ: V₀

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно находиться в диапазоне от 0.3 до 0.8.

Формулы для поиска Напряжение на PN-переходе

Напряжение обратного смещения

Обратное напряжение смещения — это отрицательное внешнее напряжение, приложенное к pn-переходу.

Символ: V

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть меньше 0.

Формулы для поиска Напряжение обратного смещения

Концентрация акцептора

Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.

Символ: N_A

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.

Символ: N_D

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Концентрация доноров

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

sqrt

Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Устройства с оптическими компонентами

Идти Угол поворота плоскости поляризации

θ = 1.8 \cdot B \cdot L m

Идти Угол при вершине

A = \tan (α)

Узнать больше OpenImg

Как оценить Емкость PN-перехода?

Оценщик Емкость PN-перехода использует Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))) для оценки Емкость перехода, Формула емкости PN-перехода определяется как емкость, связанная с областью истощения pn-перехода из-за накопленных зарядов. Это заметно в условиях обратного смещения, поскольку это условие увеличивает потенциал барьера и, следовательно, емкость на нем. Емкость перехода обозначается символом C_j.

Как оценить Емкость PN-перехода с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Емкость PN-перехода, введите Зона соединения PN (A_pn), Относительная диэлектрическая проницаемость (ε_r), Напряжение на PN-переходе (V₀), Напряжение обратного смещения (V), Концентрация акцептора (N_A) & Концентрация доноров (N_D) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Емкость PN-перехода

По какой формуле можно найти Емкость PN-перехода?

Формула Емкость PN-перехода выражается как Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))). Вот пример: 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).

Как рассчитать Емкость PN-перехода?

С помощью Зона соединения PN (A_pn), Относительная диэлектрическая проницаемость (ε_r), Напряжение на PN-переходе (V₀), Напряжение обратного смещения (V), Концентрация акцептора (N_A) & Концентрация доноров (N_D) мы можем найти Емкость PN-перехода, используя формулу - Junction Capacitance = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров))). В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость кремния, константа(ы) и Функция квадратного корня.

Может ли Емкость PN-перехода быть отрицательным?

Нет, Емкость PN-перехода, измеренная в Емкость не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Емкость PN-перехода?

Емкость PN-перехода обычно измеряется с использованием фемтофарада[fF] для Емкость. фарада[fF], килофарад[fF], Миллифарад[fF] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Емкость PN-перехода.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Емкость PN-перехода Формула

Пример Емкость PN-перехода

Емкость PN-перехода Решение

Емкость PN-перехода Формула Элементы

Другие формулы в категории Устройства с оптическими компонентами

Как оценить Емкость PN-перехода?

FAQs на Емкость PN-перехода

Variable Name