Дрейфовое сопротивление (IGBT) в Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы

Дрейфовое сопротивление (IGBT) — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы. И обозначается R_d(igbt). Дрейфовое сопротивление (IGBT) обычно измеряется с использованием килоом для Электрическое сопротивление. Обратите внимание, что значение Дрейфовое сопротивление (IGBT) всегда равно позитивный.

Формулы Усовершенствованные транзисторные устройства, в которых используется Дрейфовое сопротивление (IGBT)

fxПадение напряжения в IGBT во включенном состоянииИдти

FAQ

Что такое Дрейфовое сопротивление (IGBT)?

Дрейфовое сопротивление (IGBT) — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы. Дрейфовое сопротивление (IGBT) обычно измеряется с использованием килоом для Электрическое сопротивление. Обратите внимание, что значение Дрейфовое сопротивление (IGBT) всегда равно позитивный.

Может ли Дрейфовое сопротивление (IGBT) быть отрицательным?

Нет, Дрейфовое сопротивление (IGBT), измеренная в Электрическое сопротивление не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Дрейфовое сопротивление (IGBT)?

Дрейфовое сопротивление (IGBT) обычно измеряется с использованием килоом[kΩ] для Электрическое сопротивление. ом[kΩ], мегаом[kΩ], микроом[kΩ] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Дрейфовое сопротивление (IGBT).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!