Допинг на N-стороне в Интегральные схемы (ИС) Формулы

Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства. И обозначается N_dn. Допинг на N-стороне обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр для Плотность номера. Обратите внимание, что значение Допинг на N-стороне всегда равно позитивный.

Формулы Интегральные схемы (ИС), в которых используется Допинг на N-стороне

fxЭффективность впрыска эмиттера с учетом констант легированияИдти

FAQ

Что такое Допинг на N-стороне?

Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства. Допинг на N-стороне обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр для Плотность номера. Обратите внимание, что значение Допинг на N-стороне всегда равно позитивный.

Может ли Допинг на N-стороне быть отрицательным?

Нет, Допинг на N-стороне, измеренная в Плотность номера не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Допинг на N-стороне?

Допинг на N-стороне обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр[1/cm³] для Плотность номера. 1 на кубический метр[1/cm³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Допинг на N-стороне.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!