FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Глубина истощения Pn-перехода с источником определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля. Проверьте FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Глубина истощения Pn-перехода с источником?Ø₀ - Встроенное напряжение соединения?N_A - Концентрация акцептора?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС выглядит как.

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

0.3134μm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76V}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+22}}

Следующий шаг Оценивать

∴

x dS = 3.13423217933622E-07m

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

x dS = 0.313423217933622μm

Последний шаг Округление ответа

∴

x dS = 0.3134μm

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Глубина истощения Pn-перехода с источником

Глубина истощения Pn-перехода с источником определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля.

Символ: x_dS

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Глубина истощения Pn-перехода с источником

Встроенное напряжение соединения

Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.

Символ: Ø₀

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Встроенное напряжение соединения

Концентрация акцептора

Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.

Символ: N_A

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцептора

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Диэлектрическая проницаемость вакуума

Диэлектрическая проницаемость вакуума — это фундаментальная физическая константа, которая описывает способность вакуума обеспечивать передачу линий электрического поля.

Символ: [Permitivity-vacuum]

Ценить: 8.85E-12 F/m

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Идти Коэффициент эффекта тела

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Идти Плата за канал

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Идти Критическое напряжение

V x = E x \cdot E ch

Идти DIBL Коэффициент

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

Оценщик Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС использует P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора)) для оценки Глубина истощения Pn-перехода с источником, Глубина истощения PN-перехода с помощью формулы Source VLSI определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля. Глубина истощения Pn-перехода с источником обозначается символом x_dS.

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС, введите Встроенное напряжение соединения (Ø₀) & Концентрация акцептора (N_A) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

По какой формуле можно найти Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

Формула Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС выражается как P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора)). Вот пример: 313423.2 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22)).

Как рассчитать Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

С помощью Встроенное напряжение соединения (Ø₀) & Концентрация акцептора (N_A) мы можем найти Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС, используя формулу - P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора)). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Диэлектрическая проницаемость вакуума, Заряд электрона, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).

Может ли Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС быть отрицательным?

Нет, Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС обычно измеряется с использованием микрометр[μm] для Длина. Метр[μm], Миллиметр[μm], километр[μm] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Формула

Пример Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Решение

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС Формула Элементы

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС?

FAQs на Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Variable Name